[发明专利]基板结构及其制造方法有效
申请号: | 201810799183.6 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN110739289B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 林建辰;冯冠文 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/00;H01L21/48 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 板结 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种基板结构,包括第一线路结构、第二介电层、以及第二线路结构。第一线路结构包括第一层和第二层。第一层包括第一介电层和第一线路层。第一线路层嵌置于第一介电层中。第二层设置于第一层之下,并包括第二线路层。第二线路层与第一线路层电性连接。第二介电层设置于第一线路结构上,并具有第一开口暴露出第一线路层的一部分。第二介电层的熔点低于第一介电层的熔点。第二线路结构设置于第二介电层上,并具有与第一开口连通的第二开口。第二线路结构包括第三线路层,而第三线路层与第一线路层电性连接。本发明提供的基板结构,其线路层不容易剥离。
技术领域
本发明涉及一种基板结构及其制造方法,尤其涉及一种可避免线路剥离的基板结构及其制造方法。
背景技术
近年来,随着电子技术的日新月异,高科技电子产业的相继问世,使得更人性化、功能更佳的电子产品不断地推陈出新,并朝向轻、薄、短、小的趋势设计。在这些电子产品内通常会配置电路基板。此电路基板用以承载单个或多个电子组件。然而,电子组件配置于电路基板上会造成承载面积增加。因此,如何将电子组件内藏于电路基板中,已成为当前的关键技术。
在习知技术中,先应用激光钻孔制程于电路基板中形成开口,再将电子组件配置于开孔中。但作为激光钻孔停止层的金属层吸收了激光光所产生的热能之后,会将热能传导至金属层下方的线路和介电层中。如此一来,容易造成金属层下方的线路剥离问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板结构及其制造方法,通过在第一金属层下设置热裂解膜,避免热能传递至第一线路层和第一介电层,进而有效的避免了激光钻孔停止层下方的线路容易剥离的问题。
本发明的目的是由以下技术方案实现的。提供一种基板结构,包括第一线路结构、第二介电层、以及第二线路结构。第一线路结构包括第一层和第二层。第一层包括第一介电层和第一线路层。第一线路层嵌置于第一介电层中。第二层设置于第一层之下,并包括第二线路层。第二线路层与第一线路层电性连接。第二介电层设置于第一线路结构上,并具有第一开口暴露出第一线路层的一部分。第二介电层的熔点低于第一介电层的熔点。第二线路结构设置于第二介电层上,并具有与第一开口连通的第二开口。第二线路结构包括第三线路层,而第三线路层与第一线路层电性连接。
在本发明的某些实施方式中,基板结构进一步包括增层结构。增层结构设置于第一线路结构之下。增层结构包括第一增层。第一增层包括第四线路层,而第四线路层与第二线路层电性连接。
在本发明的某些实施方式中,增层结构还包括设置于第一增层之下的第二增层。第二增层包括第五线路层,且第五线路层与第四线路层电性连接。
在本发明的某些实施方式中,基板结构进一步包括第一导电垫和第一阻焊层。第一导电垫设置于第二线路结构之上,且第一导电垫与第三线路层电性连接。第一阻焊层覆盖第一导电垫,并具有第一孔洞暴露出第一导电垫的一部分。
在本发明的某些实施方式中,基板结构进一步包括第二导电垫和第二阻焊层。第二导电垫设置于第一线路结构之下,且第二导电垫与第二线路层电性连接。第二阻焊层覆盖第二导电垫,并具有第二孔洞暴露出第二导电垫的一部分。
本发明的另一个目的是由一下技术方案实现的。提供一种基板结构的制造方法,包括下列步骤:(i)形成第一线路结构,其中第一线路结构包括:第一层,包括第一介电层和第一线路层,其中第一线路层嵌置于第一介电层中;以及第二层,设置于第一层之下,并包括第二线路层,其中第二线路层与第一线路层电性连接;(ii)在第一线路结构上形成热裂解膜,其中热裂解膜的熔点低于第一介电层的熔点;(iii)在热裂解膜的一激光钻孔区域上形成第一金属层;(iv)在热裂解膜和第一金属层上形成第二线路前驱结构;(v)在激光钻孔区域的垂直投影方向上,对第二线路前驱结构和热裂解膜进行激光钻孔工艺,以形成第二线路结构、第二介电层、以及缺陷膜,其中第二线路结构包括第三线路层,第三线路层与第一线路层电性连接,缺陷膜设置于第一金属层与第一线路结构之间;以及(vi)去除第一金属层和缺陷膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810799183.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法
- 下一篇:集成电路器件及其制造方法