[发明专利]一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡及其制备方法

权利要求书

1.一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡制备方法，具体包括如下步骤：

步骤一、对基体进行预处理，获取预处理后的基体；

步骤二、将所述预处理后的基体放置在氦离子显微镜的样品台上，利用所述氦离子显微镜内的镓离子源所产生的镓离子束流在所述预处理后的基体上进行刻蚀，获取刻蚀条纹；刻蚀条纹具体呈“T”型、型或型分布；

步骤三、对所述的刻蚀条纹进行宽度标定，获取分辨率测试卡；

其特征在于：

在步骤一的预处理具体为：首先采用机械加工方法将钨块加工制备成直径为3-10mm，厚度为200μm的圆形薄钨片；然后对所述圆形薄钨片进行机械抛光，采用离子减薄仪使经过机械抛光后的圆形薄钨片厚度减薄为1-5μm；再采用工业乙醇对减薄后的圆形薄钨片进行超声清洗，所述超声清洗的时间为5-10min；最后将清洗后的圆形薄钨片放置在干燥皿中进行干燥，获取预处理后的基体；

在步骤二的刻蚀条纹的获取具体为：首先将所述预处理后的基体放置在氦离子显微镜的样品台上，将所述氦离子显微镜的样品室抽真空至10^-3Pa以下，所述样品台位于所述样品室内，然后利用镓离子束流在所述预处理后的基体的中心区域处进行刻蚀，获取刻蚀条纹；

所述氦离子显微镜型号为Orion NanoFab，所述氦离子显微镜中镓离子源所采用的加速电压为25-30kV，镓离子束流为10-15pA，加速电压的占空比为1:1；

所述刻蚀条纹包括横向条纹和纵向条纹，横向条纹3-5条，纵向条纹3-5条，所述横向条纹和所述纵向条纹的刻蚀宽度均相同，为50nm-1μm，每条所述横向条纹和每条所述纵向条纹的刻蚀长度均相同，为3-5μm，每条所述横向条纹和纵向条纹的刻蚀深度均与所述预处理后的基体厚度相同；

每条横向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与横向条纹刻蚀宽度相同；

每条纵向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与纵向条纹刻蚀宽度相同；

横向条纹整体和纵向条纹整体在所述预处理后的基体上呈垂直分布，位于最下边的一条横向条纹与纵向条纹顶端之间的距离与横向条纹宽度相同。

2.如权利要求1所述的Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡制备方法，其特征在于，所述宽度标定具体为：采用与刻蚀条纹过程相同的镓离子束流对所述刻蚀条纹进行宽度标定，在所述预处理后的基体上刻蚀横向条纹和纵向条纹的宽度值，将刻蚀的宽度值作为标尺，完成宽度标定。

3.如权利要求2所述的Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡制备方法，其特征在于，所述宽度值距离最下边一条横向条纹的下方5-10μm处，距离所刻蚀的最右边一条纵向条纹的右方5-10μm处。

4.一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡，其特征在于，所述分辨率测试卡包括加工在基体上的刻蚀条纹和加工在基体上的标尺；

所述基体采用圆形薄钨片；所述基体直径为3-10mm，厚度为1-5μm；

所述刻蚀条纹包括横向条纹和纵向条纹；

所述横向条纹和纵向条纹均为3-5条；

每条所述横向条纹和每条所述纵向条纹的刻蚀宽度均相同，每条所述横向条纹和每条所述纵向条纹的刻蚀长度均相同，每条所述横向条纹和纵向条纹的刻蚀深度均与基体厚度一致；

每条横向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与横向条纹刻蚀宽度一致；

每条纵向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与纵向条纹刻蚀宽度一致；

横向条纹整体和纵向条纹整体呈垂直分布，具体呈“T”型、型或型分布，位于最下边的一条横向条纹与纵向条纹顶端之间的距离与横向条纹宽度相同。

5.根据权利要求4所述的一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡，其特征在于，所述横向条纹和纵向条纹的宽度为50nm-1μm，长度为3-5μm，厚度为1-5μm，与基体厚度相同。