[发明专利]AMOLED显示面板及其像素结构的暗点化修复方法在审

专利信息
申请号: 201810802471.2 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN109064977A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 陈彩琴;王少波;王一伊 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;H01L27/32
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 有机发光二极管 驱动电路 像素结构 暗点化 修复 驱动电流 发光 电性连接 工作效率 激光能量 应用激光 暗点 像素 切割 消耗
【权利要求书】:

1.一种AMOLED显示面板的像素结构的暗点化修复方法,所述像素结构包括驱动电路和有机发光二极管,所述驱动电路用于向所述有机发光二极管提供驱动电流以使所述有机发光二极管发光,其特征在于,所述暗点化修复方法包括:应用激光切割工艺,切断所述驱动电路中的一个以上的电性连接节点,以阻止所述驱动电路向所述有机发光二极管提供驱动电流,使得所述有机发光二极管无法发光而形成像素暗点。

2.根据权利要求1所述的暗点化修复方法,其特征在于,所述驱动电路至少包括驱动晶体管、发光控制晶体管和储存电容,所述驱动晶体管的源极电性连接至电源电压信号,漏极电性连接至所述发光控制晶体管的源极,栅极电性连接至第一节点;所述发光控制晶体管的源极电性连接至所述驱动晶体管的漏极,漏极电性连接至所述有机发光二极管,栅极电性连接至发光使能信号;所述储存电容的一端电性连接至所述电源电压信号,另一端电性连接至所述第一节点;

其中,所述电性连接节点选自所述驱动晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点以及所述发光控制晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点。

3.根据权利要求2所述的暗点化修复方法,其特征在于,所述驱动晶体管的源极通过传输晶体管电性连接至所述电源电压信号,所述传输晶体管的源极电性连接至所述电源电压信号,漏极电性连接至所述驱动晶体管的源极,栅极电性连接至所述发光使能信号;

其中,所述电性连接节点选自所述传输晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点。

4.根据权利要求1-3任一所述的暗点化修复方法,其特征在于,所述驱动电路还包括复位晶体管,所述复位晶体管的源极电性连接至初始化电压信号,漏极电性连接至所述第一节点,栅极电性连接至复位扫描信号;

其中,所述电性连接节点选自所述复位晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点。

5.一种AMOLED显示面板,其特征在于,所述AMOLED显示面板中包括暗点化修复的像素结构,所述像素结构包括驱动电路和有机发光二极管,所述驱动电路用于向所述有机发光二极管提供驱动电流;其中,所述驱动电路中包含有通过激光切割工艺切断形成的一个以上的电路断点,所述电路断点阻止所述驱动电路向所述有机发光二极管提供驱动电流,使得所述有机发光二极管无法发光而形成像素暗点。

6.根据权利要求5所述的AMOLED显示面板,其特征在于,所述驱动电路至少包括驱动晶体管、发光控制晶体管和储存电容,所述驱动晶体管的源极电性连接至电源电压信号,漏极电性连接至所述发光控制晶体管的源极,栅极电性连接至第一节点;所述发光控制晶体管的源极电性连接至所述驱动晶体管的漏极,漏极电性连接至所述有机发光二极管,栅极电性连接至发光使能信号;所述储存电容的一端电性连接至所述电源电压信号,另一端电性连接至所述第一节点;

其中,所述电路断点的形成位置选自所述驱动晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点以及所述发光控制晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点。

7.根据权利要求6所述的AMOLED显示面板,其特征在于,所述驱动晶体管的源极通过传输晶体管电性连接至所述电源电压信号,所述传输晶体管的源极电性连接至所述电源电压信号,漏极电性连接至所述驱动晶体管的源极,栅极电性连接至所述发光使能信号;

其中,所述电路断点的形成位置选自所述传输晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点。

8.根据权利要求5-7任一所述的AMOLED显示面板,其特征在于,所述驱动电路还包括复位晶体管,所述复位晶体管的源极电性连接至初始化电压信号,漏极电性连接至所述第一节点,栅极电性连接至复位扫描信号;

其中,所述电路断点的形成位置选自所述复位晶体管的栅极连接点、源极连接点和漏极连接点。

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