[发明专利]AMOLED显示面板及其像素结构的暗点化修复方法

说明书

本发明公开了一种AMOLED显示面板及其像素结构的暗点化修复方法，所述像素结构包括驱动电路和有机发光二极管，所述驱动电路用于向所述有机发光二极管提供驱动电流以使所述有机发光二极管发光，其中，所述暗点化修复方法包括：应用激光切割工艺，切断所述驱动电路中的一个以上的电性连接节点，以阻止所述驱动电路向所述有机发光二极管提供驱动电流，使得所述有机发光二极管无法发光而形成像素暗点。本发明可以降低在进行像素结构暗点化修复时的激光能量的消耗，并且还可以减少修复时间，提高工作效率。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种AMOLED显示面板及其像素结构的暗点化修复方法。

背景技术

平板显示广泛应用于电视、计算机、平板电脑及智能手机等各类电子产品中，在电子信息产业中具有举足轻重的作用。作为平板显示的新兴代表，AMOLED(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示面板具有自主发光、视角宽、色彩鲜艳、对比度高、工作温度范围宽及适于柔性显示等优点，近年来发展势头迅猛。

AMOLED显示面板中包括纵横交错的数据线和扫描线，还包括位于数据线和扫描线的交叉区域的像素结构，多个像素结构呈矩阵阵列排布。一个典型的AMOLED像素结构由两个薄膜晶体管(2T，T表示Transistor)、一个存储电容(1C，C表示Capacitor)及有机发光二极管(OLED)构成，呈2T1C结构。其中，一个晶体管作为开关管，用于控制数据线对存储电容进行充电的通路；另外一个晶体管则作为驱动管，接收驱动电源(Vdd)并为OLED提供驱动电流；存储电容则主要用于在OLED发光阶段维持施加在驱动管栅极的驱动电压。在AMOLED显示面板中，通常采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术制造像素结构，由于TFT的阈值电压Vth均匀性差并且存在漂移，因此造成流经有机发光二极管的驱动电流不均匀而发光不稳定。为了解决有机发光二极管的驱动电流不均匀的问题，现有改进的技术方案多采用过增加单个像素结构内部的薄膜晶体管、存储电容的数量，以改善电学均匀性，即形成mT+nC结构，例如在本领域内已经使用的6个薄膜晶体管和1个存储电容形成6T1C的像素结构，采用6个薄膜晶体管和2个存储电容形成6T2C的像素结构，或是采用7个薄膜晶体管和1个存储电容形成7T1C的像素结构。

在AMOLED显示面板的生产过程中，亮点不良一直是制约着产品良率的一个关键因素。亮点不良是指显示面板在显示暗画面时，存在缺陷的像素结构仍然发光而形成为像素亮点，亮点不良是一个因工艺、环境等因素，发生率极高的一种不良，亮点不良的存在，直接降低了产品的等级，超过一定数量时，显示面板将直接被报废，浪费人力物力的同时，也提高了成本。

现有技术中，对于出现亮点不良的像素结构，其修复方法主要是应用激光能量将像素结构中的有机发光二极管击穿，使得有机发光二极管损坏而无法发光形成像素暗点。有机发光二极管在像素结构中所占的面积比例较大，现有的修复方法在完全击穿有机发光二极管时，激光能量的消耗较大并且修复的时间也比较长。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种AMOLED显示面板的像素结构的暗点化修复方法，其可以降低在进行暗点化修复时的激光能量的消耗，并且还可以减少修复时间，提高工作效率。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种AMOLED显示面板的像素结构的暗点化修复方法，所述像素结构包括驱动电路和有机发光二极管，所述驱动电路用于向所述有机发光二极管提供驱动电流以使所述有机发光二极管发光，其中，所述暗点化修复方法包括：应用激光切割工艺，切断所述驱动电路中的一个以上的电性连接节点，以阻止所述驱动电路向所述有机发光二极管提供驱动电流，使得所述有机发光二极管无法发光而形成像素暗点。