[发明专利]一种湿法刻蚀机有效
申请号: | 201810802738.8 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109087871B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 | ||
1.一种湿法刻蚀机,其特征在于,包括:
刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;
第一喷淋装置,与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;
第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;
挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,且靠近所述刻蚀出口的位置,用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中;
所述挡板包括相对设置的上挡板与下挡板,所述下挡板靠近所述刻蚀腔底部的一部分延伸至相邻腔室内,且所述下挡板的形状为槽型;
其中,所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙,用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置,所述下挡板延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第一排水口,所述清洗液经由所述第一排水口排出,所述下挡板上设置有导液管,用于将所述清洗液导流至所述第一排水口。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述第二喷淋装置包括喷淋杆以及斜向设置的喷嘴,所述喷淋杆一端固定于所述刻蚀腔的腔体上,另一端连接所述喷嘴,且所述刻蚀出口两侧的所述喷嘴相对设置,用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述清洗液。
6.根据权利要求5所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述喷嘴活动的设置于所述喷淋杆上,用以调整所述喷嘴的倾斜角度以及喷淋范围。
7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀液为草酸溶液,所述清洗液为去离子水。
8.根据权利要求7所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述第二喷淋装置包括水刀组件,所述刻蚀出口两侧的所述水刀组件的开口相对设置,用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述去离子水。
9.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀腔底部为凹槽状,用于容置所述第一喷淋装置喷淋出的所述刻蚀液,且所述刻蚀腔底部设置有第二排水口,所述刻蚀液经由所述第二排水口排出。
10.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀腔内还包括风刀组件,所述风刀组件设置于所述挡板靠近所述第一喷淋装置的一侧,所述风刀组件一端固定于所述刻蚀腔的腔体上,另一端开口朝向所述第一喷淋装置倾斜设置,用于向所述刻蚀腔内排风。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造