[发明专利]一种湿法刻蚀机有效
申请号: | 201810802738.8 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109087871B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 | ||
本发明提供一种湿法刻蚀机,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;第一喷淋装置,与所述滚轮相对设置,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液;所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域,尤其涉及一种湿法刻蚀机。
背景技术
TFT-LCD等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上,然后在其表面均匀涂布光刻胶,再通过相应图形的光罩经曝光显影的方式使所光刻胶成现出所需的图形,其次采用湿法或干法蚀刻,将未被光刻胶覆盖的金属或非金属膜刻蚀掉,最后去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成所需的电路。
ITO膜层作为公共电极也是TFT-LCD制作过程中的一层,其ITO膜层制作需要PVD成膜,涂布曝光显影,最后湿法刻蚀及剥离光刻胶。目前 ITO膜层湿法刻蚀使用的草酸溶液,但草酸溶液易在刻蚀机腔室内壁、刻蚀槽出口等狭小缝隙结晶,从而导致药液的浪费及特别是刻蚀段出口处的结晶可能会划伤基板上膜层,从而影响产品品质。
因此,有必要提供一种湿法刻蚀机,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明提供一种湿法刻蚀机,能够改善湿法刻蚀机出口处结晶的现象,大大降低刻蚀液结晶对显示面板品质的影响。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种湿法刻蚀机,包括:
刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;
第一喷淋装置,与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;
第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;
挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,且靠近所述刻蚀出口的位置,用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中;
其中,所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
根据本发明一优选实施例,所述挡板包括上挡板与相对设置的下挡板,所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙,用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。
根据本发明一优选实施例,所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置,并沿所述刻蚀腔底部向相邻腔室内延伸,且延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。
根据本发明一优选实施例,所述下挡板为槽型,用于容置所述第二喷淋装置喷淋出的所述清洗液,所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第一排水口,所述清洗液经由所述第一排水口排出,所述下挡板上设置有导液管,用于将所述清洗液导流至所述第一排水口。
根据本发明一优选实施例,所述第二喷淋装置包括喷淋杆以及斜向设置的喷嘴,所述喷淋杆一端固定于所述刻蚀腔的腔体上,另一端连接所述喷嘴,且所述刻蚀出口两侧的所述喷嘴相对设置,用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述清洗液。
根据本发明一优选实施例,所述喷嘴活动的设置于所述喷淋杆上,用以调整所述喷嘴的倾斜角度以及喷淋范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造