[发明专利]液晶滴下量安全范围下限的确定方法

说明书

本发明公开了一种液晶滴下量安全范围下限的确定方法，包括：利用非线性静力学分析模型，建立液晶盒的几何模型，所述液晶盒不包括液晶；将液晶盒的几何模型置于标准大气压下；通过静力学分析，计算标准大气压下，液晶盒受压不再发生形变后的上基板、下基板之间间距；计算液晶盒受压不再发生形变时液晶盒内的容纳空间的体积，即为液晶滴下量安全范围下限。本发明通过对低温环境下产品内部结构受力情况进行仿真模拟，从而计算得出产品的液晶滴下量安全范围下限，可以在液晶盒设计定版前就能预测液晶量安全范围下限，从而可以减少实验次数，节省开发成本，加快开发进度。

技术领域

本发明涉及液晶技术领域，尤其涉及一种液晶滴下量安全范围下限的确定方法。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶面板朝向大尺寸方向快速发展，One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为业内的主流技术，其使用场景对液晶滴下量安全范围要求非常高，例如，高温环境不能出现重力mura(暗影不良)，低温环境不能出现真空bubble(气泡)。

目前工程上确定液晶滴下量安全范围采用的方法是先根据产品目标Cell gap(即盒间距)计算中心液晶滴下量，再基于中心液晶滴下量往上、往下各设定10％～15％范围的液晶滴下量范围，每个液晶滴下量选取一定数量的大板，成盒后投入高温、低温环境，最终出现重力mura往下1％对应的液晶滴下量为安全范围上限，出现真空bubble往上1％对应的液晶滴下量为安全范围下限。

目前的这种做法的缺点是在设计阶段不能确定产品的液晶滴下量安全范围是否满足品质要求，只能通过实做得到，往往需要后续变更设计、调整制程才能符合品质要求，这就需要重复上述做法多次，对公司资源、产能造成很大浪费。产品使用时真空bubble较重力mura更易被人眼所察觉，因此研究如何在产品设计阶段就能确定液晶滴下量安全范围下限，并在实做前对不符合要求的设计、制程进行变更，减少实做次数就非常重要。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种液晶滴下量安全范围下限的确定方法，可以在液晶盒设计过程中提前预测液晶量安全范围下限，减少实验次数，节省开发成本，加快开发进度。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种液晶滴下量安全范围下限的确定方法，包括：

利用非线性静力学分析模型，建立液晶盒的几何模型，所述液晶盒不包括液晶；

将液晶盒的几何模型置于标准大气压下；

通过静力学分析，计算标准大气压下，液晶盒受压不再发生形变后的上基板、下基板之间间距；

计算液晶盒受压不再发生形变时液晶盒内的容纳空间的体积，即为液晶滴下量安全范围下限。

作为其中一种实施方式，所述建立液晶盒的几何模型的步骤包括：

建立隔垫物的几何模型，包括输入主隔垫物的上底尺寸、下底尺寸、高度、上底曲率、弹性模量。

作为其中一种实施方式，所述建立隔垫物的几何模型，包括输入辅隔垫物的上底尺寸、下底尺寸、高度、上底曲率、弹性模量。

作为其中一种实施方式，所述建立隔垫物的几何模型，包括计算所述主隔垫物、所述辅隔垫物在单个隔垫物周期单元内的面积占比。

作为其中一种实施方式，所述主隔垫物在单个隔垫物周期单元内的面积占比为M_PS：

M_PS＝(πR_上²+πR_下²)*α²*1/2*N/(W*L)*T；