[发明专利]一种耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201810805530.1 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN108995194A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 陈曦;郑伟;李智尧;李志嘉 | 申请(专利权)人: | 厦门长塑实业有限公司 |
主分类号: | B29C55/16 | 分类号: | B29C55/16;B29C71/00;B29L7/00 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 王春霞 |
地址: | 361028 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰胺薄膜 双轴取向 底涂层 电解液层 电解液 电解液腐蚀 封装膜 薄膜 制备 硅烷偶联剂 聚酯多元醇 牢固结合 异氰酸酯 制备工艺 柔韧性 涂覆 成型 破裂 应用 配合 保证 | ||
1.一种耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:包括聚酰胺薄膜层、底涂层和耐电解液层;其中,
所述耐电解液层通过所述底涂层涂覆在所述聚酰胺薄膜层表面;
所述底涂层包括聚酯多元醇、异氰酸酯和硅烷偶联剂;所述聚酯多元醇、异氰酸酯和硅烷偶联剂的比例为0.5~0.9:1:0.02~0.05。
2.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:所述底涂层的固含量为35%~50%。
3.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:所述底涂层的干胶厚度为0.5um~3um。
4.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:
所述聚酯多元醇包括聚已二酸-1,4-丁二醇-己二醇酯二醇,聚己二酸乙二醇酯二醇,聚己二酸-1,2-丙二醇酯二醇,聚己二酸-1,6-己二醇酯二醇,聚己二酸新戊二醇酯二醇,聚己二酸二乙二醇乙二酯二醇,聚己二酸3-甲基-1,5-戊二醇酯二醇中的一种或多种混合物;所述异氰酸酯包括甲苯二异氰酸酯,二苯甲烷二异氰酸酯,对苯二亚甲基二异氰酸酯,己二异氰酸酯,二环己基甲烷二异氰酸酯中的一种或多种混合物;所述硅烷偶联剂包括乙烯基三甲基氧基硅烷,γ-氨丙基三甲基硅烷,γ-氨丙基三乙基硅烷,β-氨丙基三甲基硅烷,γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲基硅烷,双(γ―三乙氧基硅丙基)―四硫化物中的一种或多种混合物。
5.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:所述耐电解液层采用包括聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯或四氟乙烯多元共聚物中的一种或多种制成。
6.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:所述耐电解液乳液的固含量为40%~70%。
7.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:所述耐电解液层的涂层厚度为2um~5um。
8.根据权利要求1所述的耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜,其特征在于:所述聚酯多元醇为中度结晶性的聚酯多元醇,其结晶度为10%~30%。
9.根据权利要求1-7任一项所述耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤a、在聚酰胺薄膜的表面进行电晕处理,使其表面的电晕值≥45dyn/cm;
步骤b、于聚酰胺薄膜层的表面涂布底涂剂,在50℃~60℃下烘干1min-2min,形成底涂层;
步骤c、于底涂层上涂布耐电解液层后,在180℃~190℃条件下对薄膜进行同步双向拉伸;
步骤d、在180℃~200℃下烘干定型0.5min~2min,即得耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜。
10.根据权利要求9所述耐电解液双轴取向聚酰胺薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中进行电晕处理的电压为10~25KV,功率为15~30KW。
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