[发明专利]测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质

权利要求书

1.一种测温芯片的温度测量方法，其特征在于，包括：

测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；

检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；

将所述第一温度与所述第二温度的差值，作为所述测温芯片对应的目标测量物的温度。

2.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述测量并获取测温芯片对应的第一温度包括：

采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；

基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。

3.根据权利要求2所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，在基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度之前，还包括：

对所述采样值进行数字化操作。

4.根据权利要求2所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度包括：

根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：

其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。

5.根据权利要求4所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度还包括：

基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。

6.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度包括：

测量所述测温芯片接收的电磁场信号；

基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；

根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。

7.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述测量所述测温芯片接收的电磁场信号包括：

利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。

8.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率包括：

根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：

其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。

9.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度包括：

根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：

ΔT＝Pavg*Rjc；

其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。

10.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度包括：

基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：

Tamb＝Tchip-ΔT；

其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。