[发明专利]测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质

说明书

一种测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质，所述测温芯片的温度测量方法包括：测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。应用上述方案，可以提高测温芯片的温度测量精度。

技术领域

本发明实施例涉及射频应用技术领域，尤其涉及一种测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质。

背景技术

随着射频识别(Radio Frequency Identification，RFID)技术的广泛应用，基本的信息读取已经无法满足日益丰富的应用需求，大数据的实现获得越来越多的重视。物联网的实现不仅要获取目标对象的基本信息，还需要更多实时的特征信息，例如位置信息，时间信息，个体信息等。其中，温度信息就是一项重要的信息，尤其是在冷链物流中至关重要。

在RFID测温芯片中，通过温度传感器实现测温功能。将RFID测温芯片放置在目标对象上或者目标环境中，由于热对流、热传导和热辐射的热传递作用，RFID测温芯片会达到和目标对象上或者目标环境相似的温度。当收到读卡器(Reader)发送测量温度的命令后，RFID测温芯片(RFID TAG)从读卡器发射的电磁场获取能量从而启动工作，解析收到的命令，测量芯片本身的温度，然后将测量结果反馈至读卡器。

在现有的芯片测温方法中，直接测量芯片本身的温度作为目标对象或者目标环境的温度。由于芯片在测温过程中消耗能量会产生自加热效应，导致芯片本身的温度与目标对象或者目标环境的温度不完全一致，会导致测温结果出现误差，降低测温精度。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题是如何提高测温芯片的温度测量精度。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种测温芯片的温度测量方法，所述方法包括：测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。

可选地，所述测量并获取测温芯片对应的第一温度包括：采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。

可选地，在基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度之前，还包括：对所述采样值进行数字化操作。

可选地，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度包括：根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：

其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。

可选地，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度还包括：基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。

可选地，所述检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度包括：测量所述测温芯片接收的电磁场信号；基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。

可选地，所述测量所述测温芯片接收的电磁场信号包括：利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。

可选地，所述基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率包括：根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：