[发明专利]基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法

权利要求书

1.一种基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1、制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；

S2、制作肖特基二极管，使得所述肖特基二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；

S3、键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与所述肖特基二极管，得到预失真集成电路；

步骤S3包括：

S301、预处理所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管；

S302、在所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管表面旋涂键合材料，形成键合层；

S303、对所述键合层进行曝光和显影，形成键合图形；

S304、激活所述键合层；

S305、键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与所述肖特基二极管，得到所述预失真集成电路。

2.如权利要求1所述的基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，其特征在于，所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在包括第一衬底层(101)、成核层(102)、GaN缓冲层(103)和AlGaN势垒层(104)的样片上制作而成，步骤S1包括：

S101、在所述AlGaN势垒层(104)上制作源电极(106)和漏电极(105)，形成源电极欧姆接触和漏电极欧姆接触；

S102、在所述AlGaN势垒层(104)上光刻有源区的电隔离区域，制作所述有源区的电隔离(107)；

S103、在所述AlGaN势垒层(104)、所述源电极(106)和所述漏电极(105)上生长介质层材料，形成介质层(108)；

S104、在所述介质层(108)上光刻凹槽区域，在所述凹槽区域刻蚀所述介质层(108)和所述AlGaN势垒层(104)，形成凹槽结构(109)；

S105、在所述介质层(108)上光刻栅电极区域，在所述凹槽结构(109)和所述栅电极区域蒸发栅电极金属，形成栅电极(110)；

S106、在所述栅电极(110)和所述介质层(108)表面淀积保护层材料，形成保护层(111)；

S107、在所述保护层(111)上光刻互联层开孔区，在所述互联层开孔区刻蚀所述保护层(111)和所述介质层(108)，形成开孔结构(112)；

S108、在所述开孔结构(112)中蒸发互联层金属，形成互联层(113)，得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管；

S109、测试所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的源阻抗，根据所述源阻抗计算所述输入阻抗。

3.如权利要求2所述的基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，所述栅电极为T型结构。

4.如权利要求1所述的基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：

S201、在第二衬底层(201)上外延GaN材料，形成N+型氮化镓层(202)；

S202、在所述N+型氮化镓层(202)上外延GaN材料，形成N-型氮化镓层(203)；

S203、刻蚀所述N+型氮化镓层(202)和所述N-型氮化镓层(203)，实现台面隔离(204)；

S204、在所述N-型氮化镓层(203)上光刻肖特基接触区域，制作肖特基接触(205)；

S205、刻蚀所述第二衬底层(201)和N+型氮化镓层(202)，形成刻蚀孔(206)；

S206、在所述刻蚀孔内光刻阴极区域，在所述阴极区域蒸发阴极金属，形成阴极(207)，得到所述肖特基二极管；

S207、在所述肖特基二极管上连接微带线(208)，使得所述输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配。

5.如权利要求1所述的基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，其特征在于，所述预失真集成电路为垂直结构的立体集成电路。

6.如权利要求1所述的基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，其特征在于，所述键合材料包括苯并环丁烯材料。

7.一种基于X波段氮化镓的预失真集成电路，其特征在于，由如权利要求1-6中任一项所述的方法制得。