[发明专利]基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法

说明书

本发明涉及一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法，该制作方法包括：制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制作肖特基二极管，使得肖特基二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；键合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与肖特基二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路不仅在低频和窄带信号中能够有效开展，而且在高频和宽带环境下也可以有效输出功率；同时，预失真集成电路可以改善功率放大器的非线性失真，满足通信信号电磁环境模拟器对谐波和互调分量的指标要求。

技术领域

本发明属于射频技术领域，具体涉及一种基于X波段氮化镓的预失真集成电路及制作方法。

背景技术

现代无线通信飞速发展，有限的频谱资源需要承载越来越高的数据流量，并且5G通信时代需要更高的传输速率，无线传输系统的设计和工作将承受巨大的压力。无线传输系统中的核心部件—微波功率放大器一般都处于非线性工作状态，而包络变化的调制信号经过非线性微波功率放大器后会产生互调失真，造成严重的码间干扰和邻信道干扰。当前国内外调制信号二、三次谐波绝大多数采用在功率放大器后加开关滤波器。但该技术仅在低频、窄带信号中能够有效开展，在高频和宽带环境很难发挥出最佳效应。

为了减小功率放大器的幅度和相位失真，获得更好的线性度(IMD3)，最简单的方法是采用较大输出功率的放大器进行回退，使其在较小功率输出情况下工作。功率回退法不需要额外的改善电路，原理简单，稳定性好。但功率放大器的电源效率以及功率输出能力都不能充分发挥，造成了成本的上升；另外，对于这种方法而言，回退到预定程度以后，改善幅度便达到了峰值，而这个峰值却受限于放大器本身的线性。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法及集成电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法，包括步骤：

S1、制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；

S2、制作肖特基二极管，使得所述肖特基二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；

S3、键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与所述肖特基二极管，得到预失真集成电路。

在本发明的一个实施例中，所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在包括第一衬底层、成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层的样片上制作而成，步骤S1包括：

S101、在所述AlGaN势垒层上制作源电极和漏电极，形成源电极欧姆接触和漏电极欧姆接触；

S102、在所述AlGaN势垒层上光刻有源区的电隔离区域，制作所述有源区的电隔离；

S103、在所述AlGaN势垒层、所述源电极、所述漏电极上生长SiN材料，形成介质层；

S104、在所述介质层上光刻凹槽区域，在所述凹槽区域刻蚀所述介质层和所述AlGaN势垒层，形成凹槽结构；

S105、在所述介质层上光刻栅电极区域，在所述凹槽结构和所述栅电极区域蒸发栅电极金属，形成栅电极；

S106、在所述栅电极、所述介质层表面淀积SiN材料，形成保护层；

S107、在所述保护层上光刻互联层开孔区，在所述金属互联层开孔区刻蚀所述保护层和所述介质层，形成开孔结构；

S108、在所述开孔结构中蒸发互联层金属，形成互联层，得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管；

S109、测试所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的源阻抗，根据所述源阻抗计算所述输入阻抗。