[发明专利]一种超低功耗偏置的射频开关

权利要求书

1.一种超低功耗偏置的射频开关，其特征在于：所述射频开关包括两个主晶体管单元A0-A1，三个附加晶体管单元M1-M3；每个主晶体管单元由n个晶体管依次层叠而成，每个附加晶体管单元由m个晶体管依次层叠而成，n、m均为正整数，且n＞m；

第一开关支路由附加晶体管单元M1、主晶体管单元A0、附加晶体管单元M2依次串联而成，附加晶体管单元M1的输入端作为信号输入端，附加晶体管单元M2的输出端作为信号输出端，各晶体管的栅极接收第一控制信号VG1，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第一开关支路的通断控制；

第二开关支路由附加晶体管单元M3和主晶体管单元A1依次串联而成，附加晶体管单元M3的输入端连接到信号输入端，主晶体管单元的输出端接地，各晶体管的栅极接收第二控制信号VG2，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第二开关支路的通断控制；

其中，附加晶体管单元M1与主晶体管单元A0的连接节点经由一耦合电容连接到附加晶体管单元M3与主晶体管单元A1的连接节点。

2.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一控制信号VG1和第二控制信号VG2反相。

3.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，每一晶体管均包含源极S、漏极D、栅极G、体极B；各晶体管的体极B分别经由一体电阻连接到地；第一开关支路的各晶体管的栅极G分别经由一栅极电阻连接到同一个第一控制信号VG1，第二开关支路的各晶体管的栅极G分别经由一栅极电阻连接到同一个第二控制信号VG2。

4.如权利要求3所述的射频开关，其特征在于，晶体管单元中多个晶体管之间 的连接方式为：晶体管的源极依次耦合到下一个晶体管的漏极，或者晶体管的漏极依次耦合到下一个晶体管的源极。

5.如权利要求3所述的射频开关，其特征在于，第一开关支路中，前后两个晶体管的连接节点分别通过一偏置电阻连接到同一偏置电压VD1；第二开关支路中，前后两个晶体管的连接节点分别通过一偏置电阻连接到同一偏置电压VD2。

6.如权利要求5所述的射频开关，其特征在于，所述控制信号VG1-VG2、所述偏置电压VD1-VD2均为非负电压。

7.如权利要求1-6任一项所述的射频开关，其特征在于，所述晶体管采用N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。

8.一种多掷射频开关电路，包括2a个如权利要求1-7任一项所述的射频开关，其特征在于：a为正整数，每一个射频开关作为一路掷单元，各射频开关的信号输出端连接到公共的射频输出端，多个射频开关实现多个信号路径的接入或断开；

第2i-1个射频开关中主晶体管单元A0与附加晶体管单元M2的连接节点经由耦合电容连接到第2i射频开关中主晶体管单元A0与附加晶体管单元M2的连接节点，i为正整数且i≤a。

9.如权利要求8所述的多掷射频开关电路，其特征在于，在同一时间有且只有一路掷单元是接通状态，其余掷单元都是关闭状态。

10.如权利要求8或9所述的多掷射频开关电路，其特征在于，所述公共的射频输出端与天线连接。