[发明专利]柔性面板的制作方法及制作装置有效
申请号: | 201810812395.3 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN110828505B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 王伟;詹志锋;王研鑫;杨恕权;石佳凡 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 面板 制作方法 制作 装置 | ||
1.一种柔性面板的制作方法,所述柔性面板包括弯折区,所述制作方法包括:
提供面板单元,所述面板单元包括层叠的柔性基板和背膜,所述面板单元包括对应于所述柔性面板的面板区和位于所述面板区之外的非面板区;
去除所述面板单元的所述非面板区,同时一并剥离所述背膜位于所述柔性面板的弯折区内的剥离部分;
对所述柔性基板进行切割处理,使所述柔性基板分离为第一基板部分和第二基板部分,所述第一基板部分对应所述非面板区,所述第二基板部分对应所述面板区;以及
对所述背膜进行切割处理,使所述背膜分离为第一背膜部分和第二背膜部分,所述第一背膜部分包括彼此连接的第一子部和第二子部,所述第一子部对应所述非面板区,以及所述第二子部为所述背膜对应于所述弯折区的剥离部分。
2.如权利要求1所述的制作方法,所述柔性基板包括彼此相对的第一表面和第二表面,所述背膜位于所述柔性基板的第一表面上,其中,对所述柔性基板进行切割处理包括:
将所述面板单元放置在第一处理台上,所述柔性基板的第二表面背离所述第一处理台,对所述柔性基板进行第一切割处理,以使得所述柔性基板分离为所述第一基板部分和所述第二基板部分。
3.如权利要求2所述的制作方法,其中,对所述背膜进行切割处理包括:
翻转所述面板单元将所述面板单元放置在第二处理台上,使得所述柔性基板的第一表面背离所述第二处理台,对所述背膜进行第二切割处理,使得所述背膜分离为所述第一背膜部分和所述第二背膜部分。
4.如权利要求3所述的制作方法,其中,对所述柔性基板进行第一切割处理的同时,除了所述第二子部的周边外,还沿所述第一切割处理的切割路径对所述背膜进行第二切割处理。
5.如权利要求4所述的制作方法,其中,对所述背膜进行切割处理还包括:
翻转所述面板单元使将所述面板单元放置在所述第二处理台,得所述柔性基板的第一表面背离所述第二处理台,沿所述第二子部的周边对所述背膜进行第二切割处理,使得所述背膜分离为所述第一背膜部分和所述第二背膜部分。
6.如权利要求3-5任一项所述的制作方法,其中,在所述柔性基板的第一表面背离所述第二处理台的情况下,去除所述面板单元的所述非面板区。
7.如权利要求6所述的制作方法,其中,去除所述面板单元的所述非面板区包括:
使所述第一基板部分与所述第二处理台分离,并以所述第一基板部分为作用点,将所述背膜的第二子部从所述柔性基板剥离。
8.如权利要求7所述的制作方法,其中,使所述第一基板部分与所述第二处理台分离包括:
从所述第二处理台拾取所述第一基板部分,将所述第一基板部分与所述第二处理台分离。
9.如权利要求8所述的制作方法,其中,从所述第二处理台拾取所述第一基板部分包括:
使用刀片插入到所述第一基板部分与所述第二处理台之间,并抬起所述第一基板部分。
10.如权利要求8所述的制作方法,其中,从所述第二处理台拾取所述第一基板部分包括:
所述第二处理台中设置的支撑杆突出于所述第二处理台以抬起所述第一基板部分。
11.如权利要求8所述的制作方法,其中,使所述第一基板部分与所述第二处理台分离还包括:
使用夹子夹持所述第一基板部分,并带动所述第一基板部分以剥离所述背膜的第二子部。
12.如权利要求3所述的制作方法,还包括:使用真空吸附将所述面板单元固定在所述第一处理台和所述第二处理台上。
13.如权利要求1所述的制作方法,其中,去除所述面板单元对应所述非面板区的部分包括采用刀轮切割或激光切割。
14.一种柔性面板的制作装置,用于实施如权利要求1-13任一项所述的柔性面板的制作方法,其中,所述制作装置包括背膜去除单元,
所述背膜去除单元配置为去除所述面板单元的所述非面板区,同时一并剥离所述背膜位于所述柔性面板的弯折区内的剥离部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的