[发明专利]一种含导电保护薄膜的锂负极及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含导电保护薄膜的锂负极，其特征在于：以铜为靶材，使用磁控溅射技术在锂片表面附着真空镀Cu薄膜，所述的真空镀Cu薄膜具有岛状和层状的复合形貌，Cu薄膜内存在大量分散的孔隙；

所述的含导电保护薄膜的锂负极的制备方法，具体步骤如下：

（1）在氩气手套箱内，先将锂片用导电双面胶贴在待溅射的托盘上，连同托盘一起放入密封盒内，再将密封盒内托盘转移到磁控溅射镀膜仪内；其中，氩气手套箱内水含量的体积分数小于0.1 ppm，氧含量的体积分数小于0.1 ppm；

（2）当真空镀膜室内真空度达到1.0×10^-4Pa时，通入Ar气作为溅射气体，Ar气的流量为30-40sccm，气压为0.5-1.0Pa，功率为30-50W，预溅射8-15 min后，进行真空镀铜，真空镀铜时间为240-360s。

2.根据权利要求1所述的一种含导电保护薄膜的锂负极，其特征在于：步骤（2）中Cu的纯度≥99.99%。

3.一种如权利要求1所述的含导电保护薄膜的锂负极的应用，其特征在于：能够作为锂硫电池负极应用在电化学储能领域。