[发明专利]新型扇出型封装结构的制造方法在审
| 申请号： | 201810816552.8 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109166807A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 郁科锋;张凯 | 申请（专利权）人： | 江阴芯智联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波;孙燕波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 绝缘材料膜 基材载板 铜柱 凸块 填充绝缘材料 扇出型封装 绝缘材料 粘性膜 贴装 压合 去除 绝缘材料表面 表面设置 单一材料 高可靠性 晶圆切割 切割成型 表面压 重布线 分层 减薄 固化 加热 穿透 切割 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
步骤一、取一基材载板；
步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；
步骤三、贴装芯片
将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；
步骤四、填充绝缘材料
采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；
步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；
步骤六、减薄
步骤七、重布线
步骤八、去除基材载板
步骤九、切割成型。
2.根据权利要求1所述的一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于：步骤一中基材载板采用金属板或绝缘板。
3.根据权利要求1所述的一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于：步骤二中粘性膜采用发泡膜。
4.根据权利要求1所述的一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于：步骤六减薄采用机械或化学方式使凸块或铜柱与绝缘材料齐平。
5.根据权利要求1所述的一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于：步骤七中重布线结束后进行植球。
6.根据权利要求1所述的一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于：步骤八通过蚀刻方法去除基材载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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