[发明专利]新型扇出型封装结构的制造方法

说明书

本发明涉及一种新型扇出型封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取一基材载板；步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；步骤三、贴装芯片将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；步骤四、填充绝缘材料采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；步骤六、减薄；步骤七、重布线；步骤八、去除基材载板；步骤九、切割成型。本发明芯片四周是绝缘材料，单一材料，不会出现切割分层，能够增加产品的高可靠性。

技术领域

本发明涉及一种新型扇出型封装结构的制造方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺由逐个芯片封装向圆片级封装转变，而晶圆级芯片封装(WLP)具有高密度、体积小、可靠性高、电性能优良等优点，逐渐成为市场中最先进最重要的封装，目前WLP有Fan in和Fan out两种工艺，其中标准型Fan-out WLP是在晶圆上进行重布线，之后再进行切割，完成后的封装大小比芯片的尺寸大，芯片正面用凸块(bumping)或铜柱(copper pillar)作为连线，整个芯片在圆片上制作，圆片利用率低，基本都是裸露在外，没有任何材料保护芯片，存在可靠性风险。

当前Fan-out WLP封装结构如图1所示，其工艺存在以下不足和缺陷：

1、fan-out在圆片表面进行重布线，大大降低了圆片的利用率；

2、圆片材质硬，从圆片切割成单颗时会出现应力集中，易出现崩边，影响外观；

3、圆片表面有PI，切割成单颗时在两种材质检易出现分层现象，降低产品的可靠性；

4、硅芯片与PCB板的热膨胀系数有着明显的差异，在热循环过程中，由于两者的热失配会给焊球造成应变和应力，影响产品的可靠性；

5、标准的Fan-in WLP对整片晶圆封装，易出现翘曲问题；

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种新型扇出型封装结构的制造方法，它对基材表面贴一层粘性膜，在粘性膜上贴装芯片，芯片带有凸块或铜柱，绝缘材料填充采用压合绝缘材料膜的方式，绝缘材料膜正面带有超厚的PET膜，从而实现凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，然后去除PET膜，露出凸块或铜柱；通过机械或化学的方式使凸块或铜柱与绝缘膜齐平，再进行RDL布线，去除基材后切割成单颗，芯片四周是绝缘材料，单一材料，不会出现切割分层，增加了产品的高可靠性。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一基材载板；

步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；

步骤三、贴装芯片

将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；

步骤四、填充绝缘材料

采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；

步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；

步骤六、减薄

步骤七、重布线

步骤八、去除基材载板

步骤九、切割成型。