[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810818358.3 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110707064B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;鹫谷哲;田中雄季;韦宁 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
单极性部件，所述单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及
旁路部件，所述旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且所述单极性部件和所述旁路部件并联；
其中，所述单极性部件的厚度与所述旁路部件的厚度之差小于或等于预定值，
其中，第一厚度与第二厚度之差小于或等于10％且大于或等于-10％；
所述第一厚度是所述第一外延层的厚度和所述第一基板的厚度之和，且所述第二厚度是所述第二外延层的厚度和所述第二基板的厚度之和；
第一浓度与第二浓度之差小于或等于10％且大于或等于-10％；所述第一浓度是所述第一外延层中的载流子浓度，且所述第二浓度是所述第二外延层中的载流子浓度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述单极性部件和所述旁路部件包括碳化硅材料。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述单极性部件的源电极为铝硅类型元件；且所述旁路部件的势垒金属为钛类型或钼类型元件。
4.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供单极性部件，所述单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及
提供旁路部件，所述旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且所述单极性部件和所述旁路部件并联；
其中，所述单极性部件的厚度与所述旁路部件的厚度之差小于或等于预定值，
其中，第一厚度与第二厚度之差小于或等于10％且大于或等于-10％；
所述第一厚度是所述第一外延层的厚度和所述第一基板的厚度之和，且所述第二厚度是所述第二外延层的厚度和所述第二基板的厚度之和；
第一浓度与第二浓度之差小于或等于10％且大于或等于-10％；所述第一浓度是所述第一外延层中的载流子浓度，且所述第二浓度是所述第二外延层中的载流子浓度。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述单极性部件和所述旁路部件包括碳化硅材料。
6.如权利要求4所述的方法，其中，所述单极性部件的源电极为铝硅类型元件；且所述旁路部件的势垒金属为钛类型或钼类型元件。
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