[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。

技术领域

本发明实施例总体上涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。

背景技术

为了提供具有高可靠性并能够减少导通电阻的增加的半导体器件，单极性化合物半导体元件(unipolar compound semiconductor element)被配置为与旁路(或者称为旁通)半导体元件(bypass semiconductor element)并联。

图1是现有技术中的单极性化合物半导体元件101和旁路半导体元件102的示意图。如图1所示，单极性化合物半导体元件101通过外部线路L连接到旁路半导体元件102。

参考文献1：US2013/0069082A1.

本节的内容引入了多个方面，这些方面是为了对本发明实施例更好的理解。因此，应在此方面阅读本节的陈述，且不应该理解为是对哪些是现有技术或哪些不是现有技术的认可。

发明内容

然而，发明人发现，单极性化合物半导体元件101和旁路半导体元件102被单独配置并且通过外部线路连接，在某些情况下，由这两个部件所产生的热量不同，从而存在热传递并导致运行不稳定。

为了至少解决上述这些问题中的一部分，本发明提供方法、装置和器件。结合附图阅读下面对具体实施例的描述，应该能够理解本发明实施例的特征和优点，这些具体实施例通过实例描述了本发明实施例的原理。

总体上来讲，本发明实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。期望减小或避免该单极性化合物半导体元件和旁路半导体元件之间的热传递。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种半导体器件，包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。

在一个实施例中，该单极性部件和该旁路部件包括碳化硅材料。

在一个实施例中，第一厚度与第二厚度之差小于或等于10％且大于或等于-10％；该第一厚度是该第一外延层的厚度和该第一基板的厚度之和，且该第二厚度是该第二外延层的厚度和该第二基板的厚度之和。

在一个实施例中，第一浓度与第二浓度之差小于或等于10％且大于或等于-10％；该第一浓度是该第一外延层中的载流子浓度，且该第二浓度是该第二外延层中的载流子浓度。

在一个实施例中，该单极性部件的源电极为铝硅类型元件，且该旁路部件的势垒金属为钛类型或钼类型元件。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种形成半导体器件的方法，包括：提供单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及提供旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。

根据本发明的各种实施例，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。因此，由于厚度相同(或几乎相同)，由该单极性部件所产生的热量与由该旁路部件所产生的热量相同(或几乎相同)，从而能够减少或避免该单极性部件与该旁路部件之间的热传递。

附图说明