[发明专利]确定阵列基板栅极驱动电路中的晶体管的关系参数的方法

权利要求书

1.一种确定阵列基板栅极驱动电路中的晶体管的关系参数的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

确定针对第一晶体管的多个第一沟道宽长比和针对第二晶体管的预定沟道宽长比，其中，所述第二晶体管为阵列基板栅极驱动电路的上拉晶体管，所述第一晶体管为控制所述第二晶体管的上拉操作的上拉控制晶体管；

通过从所述多个第一沟道宽长比中逐一选择每个第一沟道宽长比，将具有选择的第一沟道宽长比的第一晶体管的源极和具有所述预定沟道宽长比的第二晶体管的栅极连接到控制信号点并将预定电压信号施加到所述第一晶体管和所述第二晶体管，获得所述控制信号点的与所述多个第一沟道宽长比分别对应的多个电压波形；

从所述多个电压波形中确定电压最优波形；

通过与所述电压最优波形对应的第一沟道宽长比，确定所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的关系参数；

其中，将预定电压信号施加到所述第一晶体管和所述第二晶体管的步骤包括：

将具有第一电压电平的第一电压信号施加到所述第一晶体管的栅极和漏极；

将具有第一电压电平的第二电压信号施加到所述第二晶体管的漏极，其中，所述第二晶体管的源极接地。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，确定关系参数的步骤包括：

确定与所述电压最优波形对应的第一沟道宽长比；

计算确定的第一沟道宽长比和所述预定沟道宽长比的比值；

将计算出的比值作为所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的关系参数。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电压电平为使所述第一晶体管导通的电压电平。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，确定电压最优波形的步骤包括：

从所述多个电压波形中确定所述控制信号点的电压电平在预定时间内达到第二电压电平的第一电压波形；

从所述第一电压波形中确定具有最小电压电平的电压波形作为电压最优波形，

其中，所述第二电压电平为第一电压电平的N倍，N大于0.8且小于1。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二电压电平为使所述第二晶体管导通的电压电平。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二电压信号相对于所述第一电压信号延迟预定时间。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制信号点和所述第二晶体管的源极通过电容器而连接。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第一沟道宽长比为不同的沟道宽度和预定沟道长度的比值。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多个第一沟道宽长比分别为125:1、250:1、375:1、500:1、625:1、750:1；

所述预定沟道宽长比为2500:1。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述多个第一沟道宽长比中的沟道宽分别为500微米、1000微米、1500微米、2000微米、2500微米、3000微米，所述预定沟道宽长比中的沟道宽为10000微米。