[发明专利]一种像素结构及其制作方法、阵列基板及TN型显示面板在审
| 申请号： | 201810821202.0 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN108922896A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈志杰;李林;林建伟;庄崇营 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 像素结构 公共电极层 透明电极层 漏极层 栅极层 基板 存储电容 电性连接 显示面板 阵列基板 源极层 源层 透明像素电极层 位置重叠 开孔率 制作 保证 | ||
1.一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：
基板；
栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；
第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；
有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；
源极层和漏极层，形成于所述有源层上；
第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；
透明电极层，形成于所述第二绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；
第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；
透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述透明电极层和透明像素电极层的材料为ITO、AZO或IGZO。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述透明电极层通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的双层过孔与所述公共电极层电性连接。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述透明像素电极层通过穿透第二绝缘层和第三绝缘层的双层过孔与所述漏极层电性连接。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括与所述栅极层电性连接的栅极线和与所述源极层电性连接的数据线。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的像素结构。
7.一种TN型显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。
8.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：提供一基板；
步骤2：在所述基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成栅极层和公共电极层；
步骤3：在形成栅极层和公共电极层的基板上沉积第一绝缘层；
步骤4：在第一绝缘层上形成有源层；
步骤5：在完成上述步骤的基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺形成源极层和漏极层；
步骤6：在完成上述步骤的基板上沉积第二绝缘层；
步骤7：在第二绝缘层上沉积第一透明电极薄膜，通过过孔与所述公共电极层电性连接形成透明电极层；
步骤8：在完成上述步骤的基板上沉积第三绝缘层；
步骤9：在第三绝缘层上沉积第二透明电极薄膜，形成透明像素电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
