[发明专利]一种像素结构及其制作方法、阵列基板及TN型显示面板

说明书

本发明提供了一种像素结构及其制作方法、阵列基板及TN型显示面板，该像素结构包括：基板；栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；源极层和漏极层，形成于所述有源层上；第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；透明电极层，形成于所述第一绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。本发明可以在保证像素结构开孔率的前提下有效增大存储电容。

技术领域

本发明涉及了显示技术领域，特别是涉及了一种像素结构及其制作方法、阵列基板及TN型显示面板。

背景技术

随着TFT-LCD行业的不断发展，用户对显示面板的要求也越来越高，现有的显示面板一般包括TN型显示面板、IPS型显示面板等，在TN型显示面板的像素结构中，一般都是通过在同基板上形成重叠布置的像素电极层和公共电极层，从而形成存储电容，由于现有像素结构中像素电极层和公共电极层交叠位置不透光，从而为了保证开口率，如图1所示，现有的像素结构中公共电极层200’环绕像素电极层100’三面设置，像素的存储电容大小受到限制。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是能够有效保证TN型显示面板中像素结构的开口率同时有效增大存储电容。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：

基板；

栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；

第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；

有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；

源极层和漏极层，形成于所述有源层上；

第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；

透明电极层，形成于所述第二绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；

第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；

透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。

作为本发明的一种优选方案，所述透明电极层和透明像素电极层的材料为ITO、AZO或IGZO。

作为本发明的一种优选方案，所述透明电极层通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的双层过孔与所述公共电极层电性连接。

作为本发明的一种优选方案，所述透明像素电极层通过穿透第二绝缘层和第三绝缘层的双层过孔与所述漏极层电性连接。

作为本发明的一种优选方案，还包括与所述栅极层电性连接的栅极线和与所述源极层电性连接的数据线。

进一步地，提供一种阵列基板，包括以上任一项所述的像素结构。

进一步地，提供一种TN型显示面板，包括以上所述的阵列基板。

进一步地，提供一种像素结构的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：提供一基板；

步骤2：在所述基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成栅极层和公共电极层；

步骤3：在形成栅极层和公共电极层的基板上沉积第一绝缘层；

步骤4：在第一绝缘层上形成有源层；

步骤5：在完成上述步骤的基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺形成源极层和漏极层；