[发明专利]硅片的返工系统及方法

权利要求书

1.一种硅片的返工系统，其特征在于，包括：检测装置、分类装置、抛光装置及清洗装置；

所述检测装置对加工完成的硅片逐一进行检测以判断其规格参数，若规格参数均达到预设值，则划分为优质类，反之，则将硅片划分为瑕疵类，对硅片逐一进行检测的规格参数包括：微粒污染度、边缘完整度及表面平整度；

所述抛光装置对归属于瑕疵类型的硅片进行抛光，所述抛光包括：

对于表面有微粒污染瑕疵的硅片进行表面最终抛光；

对于边缘有瑕疵的硅片进行边缘抛光和表面最终抛光；

对于平整度有瑕疵的硅片进行双面抛光和表面最终抛光；

所述清洗装置对抛光后的硅片进行预清洗，所述检测装置对预清洗的硅片进行平整度检测，并初步定级；

所述清洗装置对经初步定级后的硅片再次进行清洗，所述检测装置对其进行微粒污染度的检测并定级，所述分类装置区分出合格硅片和不合格硅片。

2.一种硅片的返工方法，其特征在于，所述硅片的返工方法包括以下步骤：

S1：取一加工完成的硅片；

S2：对硅片逐一进行检测以判断其规格参数，若规格参数均达到预设值，则划分为优质类，反之，则划分为瑕疵类，对硅片逐一进行检测的规格参数包括：微粒污染度、边缘完整度及表面平整度；

S3：对归属于瑕疵类型的硅片进行抛光，所述抛光类型分为双面抛光、边缘抛光及表面最终抛光，抛光过程为：

对于表面有微粒污染瑕疵的硅片进行表面最终抛光；

对于边缘有瑕疵的硅片进行边缘抛光和表面最终抛光；

对于平整度有瑕疵的硅片进行双面抛光和表面最终抛光；

S4：对抛光后的硅片进行预清洗，并进行平整度检测以初步定级；

S5：对经初步定级后的硅片再次进行清洗，并进行微粒污染度的检测以进一步定级，以确定合格硅片和不合格硅片。

3.如权利要求2所述的硅片的返工方法，其特征在于，S4中，对预清洗的硅片进行平整度检测，评测出所述硅片经抛光处理后的平整度等级。

4.如权利要求3所述的硅片的返工方法，其特征在于，S5中，对再次清洗的硅片进行微粒污染度检测，评测出所述硅片经抛光处理后的清洁等级。

5.如权利要求4所述的硅片的返工方法，其特征在于，S5中，根据所述平整度等级和清洁等级对瑕疵硅片进行定级；对于仍达不到平整度和清洁度等级要求的硅片，则确定其为不合格硅片。