[发明专利]硅片的返工系统及方法

说明书

本发明涉及一种硅片的返工系统，包括：检测装置、分类装置、抛光装置及清洗装置；所述检测装置对硅片进行检测以判断其规格参数，若达到预设值则为优质类，反之则为瑕疵类；所述抛光装置对瑕疵硅片抛光；所述清洗装置对抛光后的硅片进行清洗，所述检测装置对预清洗的硅片进行平整度检测以初步定级；对再次清洗的硅片进行微粒污染度的检测并定级，所述分类装置区分出合格硅片和不合格硅片。本发明中通过对瑕疵硅片同时返工和降级，减少了硅片的返工和清洗次数，避免了硅片表面由于多次清洗被腐蚀而造成表面不平的问题，从而避免了污染物附着在硅片表面凹点处的风险，既提高了硅片的良率，又防止了多次的返工对硅片质量造成的潜在损害。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是硅片的返工系统及方法。

背景技术

目前半导体制造技术领域对硅片良率的要求越来越高，而硅片平整度、边缘损坏度和微粒污染等方面都影响着硅片的良率。

为了提高硅片的良率，现有技术对非良品进行多次返工，常见的返工过程包括：针对平整度不够的进行重新双面抛光、针对边缘破损的进行重新边缘抛光、针对表面微粒污染严重的进行重新表面最终抛光。然而，多次返工不仅不会提高硅片的良率，反而会对硅片品质造成不良影响，使硅片表面腐蚀严重，凹凸不平，从而对硅片造成了较多潜在的不良影响。

因此，提供一种减少硅片抛光和清洗次数的返工方法及系统是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片的返工系统及方法，以解决现有技术中硅片返工次数过多导致良率降低的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片的返工系统，包括：检测装置、分类装置、抛光装置及清洗装置；

所述检测装置对加工完成的硅片逐一进行检测以判断其规格参数，若规格参数均达到预设值，则划分为优质类，反之，则将硅片划分为瑕疵类；

所述抛光装置对归属于瑕疵类型的硅片进行抛光；

所述清洗装置对抛光后的硅片进行预清洗，所述检测装置对预清洗的硅片进行平整度检测，并初步定级；

所述清洗装置对经初步定级后的硅片再次进行清洗，所述检测装置对其进行微粒污染度的检测并定级，所述分类装置区分出合格硅片和不合格硅片。

可选的，在所述硅片的返工系统中，对硅片逐一进行检测的规格参数包括：微粒污染度、边缘完整度及表面平整度。

可选的，在所述硅片的返工系统中，所述抛光装置对归属于瑕疵类型的硅片进行抛光包括：

对于表面有微粒污染瑕疵的硅片进行表面最终抛光；

对于边缘有瑕疵的硅片进行边缘抛光和表面最终抛光；

对于平整度有瑕疵的硅片进行双面抛光和表面最终抛光。

本发明还提供了一种硅片的返工方法，所述硅片的返工方法包括以下步骤：

S1：取一加工完成的硅片；

S2：对硅片逐一进行检测以判断其规格参数，若规格参数均达到预设值，则划分为优质类，反之，则划分为瑕疵类；

S3：对归属于瑕疵类型的硅片进行抛光；

S4：对抛光后的硅片进行预清洗，并进行平整度检测以初步定级；

S5：对经初步定级后的硅片再次进行清洗，并进行微粒污染度的检测以进一步定级，以确定合格硅片和不合格硅片。

可选的，在所述硅片的返工方法中，S2中，对硅片逐一进行检测的规格参数包括：微粒污染度、边缘完整度及表面平整度。