[发明专利]一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备在审
申请号: | 201810822086.4 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN109037254A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 姚波 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龙 |
地址: | 226000 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感器芯片 色阻 微透镜阵列 影像传感器 透明基板 光电感应区 电子设备 制备 阵列制作工艺 正面设置 微透镜 申请 背面 | ||
1.一种影像传感器制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供透明基板和影像传感器芯片;其中,所述影像传感器芯片包括正面和背面,所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区;
形成色阻阵列和微透镜阵列;所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区,另一个位于所述透明基板的第一侧;
将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定,其中,所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对,所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述色阻阵列位于所述透明基板的所述第一侧;所述形成色阻阵列包括:
在所述透明基板的所述第一侧平面形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列;或者,
在所述透明基板的所述第一侧形成第一凹槽;在所述第一凹槽内形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列,其中,所述色阻阵列的高度小于等于所述第一凹槽的深度;或者,
在所述透明基板的所述第一侧形成第二凹槽阵列;分别在所述第二凹槽阵列的各个凹槽内填充红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻,以形成所述色阻阵列,其中,所述色阻阵列的高度小于等于所述第二凹槽阵列的深度。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述微透镜阵列位于所述光电感应区,所述形成微透镜阵列包括:
在所述光电感应区平面形成所述微透镜阵列;或者,
在所述光电感应区形成第三凹槽,在所述第三凹槽内形成所述微透镜阵列,其中,所述微透镜阵列的高度小于等于所述第三凹槽的深度;或者,
在所述光电感应区形成第四凹槽阵列,在所述第四凹槽阵列的各个凹槽内形成微透镜,以形成所述微透镜阵列,其中,所述微透镜阵列的高度小于等于所述第四凹槽阵列的深度。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述色阻阵列位于所述影像传感器芯片的所述光电感应区;所述形成色阻阵列包括:
在所述影像传感器芯片的所述光电感应区平面形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列;或者,
在所述影像传感器芯片的所述光电感应区形成第五凹槽;在所述第五凹槽内形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列,其中,所述色阻阵列的高度小于等于所述第五凹槽的深度;或者,
在所述影像传感器芯片的所述光电感应区形成第六凹槽阵列;分别在所述第六凹槽阵列的各个凹槽内填充红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻,以形成所述色阻阵列,其中,所述色阻阵列的高度小于等于所述第六凹槽阵列的深度。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述微透镜阵列位于所述透明基板的所述第一侧,所述形成微透镜阵列包括:
在所述透镜基板的所述第一侧平面形成所述微透镜阵列;或者,
在所述透明基板的所述第一侧形成第七凹槽,在所述第七凹槽内形成所述微透镜阵列,其中,所述微透镜阵列的高度小于等于所述第七凹槽的深度;或者,
在所述透明基板的所述第一侧形成第八凹槽阵列,在所述第八凹槽阵列的各个凹槽内形成微透镜,以形成所述微透镜阵列,其中,所述微透镜阵列的高度小于等于所述第八凹槽阵列的深度。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定,包括:
在所述透明基板的所述第一侧表面的边缘形成第一支撑件,和/或,在所述影像传感器芯片的正面的边缘形成第二支撑件,以使得所述透明基板的所述第一侧表面面向所述影像传感器芯片时,所述色阻阵列与所述微透镜阵列间隔开;
将所述透明基板与所述影像传感器芯片通过所述第一支撑件和/或所述第二支撑件键合固定。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对,所述色阻阵列与所述微透镜阵列间隔开,且所述透明基板的所述第一侧边缘抵顶所述影像传感器芯片的所述正面边缘,所述将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定,包括:
将所述透明基板的所述第一侧边缘表面与所述影像传感器芯片的所述正面边缘表面键合固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的