[发明专利]一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备在审
申请号: | 201810822086.4 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN109037254A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 姚波 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龙 |
地址: | 226000 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感器芯片 色阻 微透镜阵列 影像传感器 透明基板 光电感应区 电子设备 制备 阵列制作工艺 正面设置 微透镜 申请 背面 | ||
本申请公开了一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备,该方法包括:提供透明基板和影像传感器芯片;其中,所述影像传感器芯片包括正面和背面,所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区;形成色阻阵列和微透镜阵列;所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区,另一个位于所述透明基板的第一侧;将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定,其中,所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对,所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。通过上述方式,本申请能够降低对微透镜阵列和色阻阵列制作工艺条件的限制。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备。
背景技术
随着半导体技术的发展,影像传感器的发展越来越迅速,且已广泛应用于相机、移动终端、医疗器械、汽车等领域。
在现有技术中,影像传感器从制作工艺上可以分为两个部分:前端制作工艺和后端制作工艺。其中,前端制作工艺包括硅器件工艺和金属互连工艺,后端制作工艺包括色阻阵列工艺和微透镜阵列工艺。
本申请的发明人在长期研究过程中发现,微透镜阵列一般形成在色阻阵列上,因此在制作微透镜阵列的时候需要充分考虑其工艺条件,以避免破坏色阻阵列。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备,能够降低对微透镜阵列和色阻阵列制作工艺条件的限制。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种影像传感器制备方法,所述制备方法包括:提供透明基板和影像传感器芯片;其中,所述影像传感器芯片包括正面和背面,所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区;形成色阻阵列和微透镜阵列;所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区,另一个位于所述透明基板的第一侧;将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定,其中,所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对,所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种影像传感器,所述影像传感器包括:影像传感器芯片,所述影像传感器芯片包括正面和背面,所述正面设置有光电感应区;透明基板,包括第一侧和第二侧,所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对;色阻阵列和微透镜阵列,其中,所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区,另一个位于所述透明基板的所述第一侧,且所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种电子设备,所述电子设备包括上述任一实施例中的影像传感器。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请所提供的影像传感器中的色阻阵列和微透镜阵列中的一个位于影像传感器芯片的光电感应区,另一个位于透明基板的第一侧,且透明基板的第一侧与影像传感器芯片的光电感应区相对。因此,本申请所提供的影像传感器制备方法可以降低对微透镜阵列和色阻阵列制作工艺条件的限制,提高了影响传感器封装的产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1为本申请影像传感器制备方法一实施方式的流程示意图;
图2为影像传感器芯片一实施方式的结构示意图;
图3为图1中步骤S102中形成色阻阵列对应的一实施方式的结构示意图;
图4为图1中步骤S102中形成色阻阵列一实施方式的流程示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的