[发明专利]一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用有效
| 申请号： | 201810823902.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109180884B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 孙秀兰;纪剑;皮付伟;张银志;郭巍;单雪晴 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C08F292/00 | 分类号： | C08F292/00;C08F220/56;C08F222/14;C08J9/26;B01J20/30;B82Y30/00;B82Y40/00;H01F1/42 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 脱除 青霉素 纳米 材料 合成 应用 | ||
1.一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成方法，其特征在于：采用2-吲哚酮为替代模板，丙烯酰胺为功能单体，以Fe3O4@SiO2@CS-GO磁性纳米粒子为载体，通过表面印迹法制备磁性分子印迹纳米材料；其中，所述的CS为壳聚糖，所述的GO为氧化石墨烯；
所述的磁性分子印迹纳米材料的制备方法包括：Fe3O4磁性核心的制备；Fe3O4@SiO2纳米粒子的制备；Fe3O4@SiO2纳米粒子的氨基化及Fe3O4@SiO2@CS纳米粒子的合成；GO载体与Fe3O4@SiO2@CS纳米粒子的结合；表面印迹法合成Fe3O4@SiO2@CS-GO@MIP；
Fe3O4@SiO2@CS-GO纳米颗粒的制备方法：将氨基化的Fe3O4@SiO2分散液同CS乙酸溶液混合，在45~60 ℃下搅拌0.5~2 h，然后再添加GO分散液，继续搅拌0.5~2 h，最后将温度升高到70~90℃，逐滴滴入质量分数为5%的戊二醛溶液，即得到的Fe3O4@SiO2@CS-GO纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：Fe3O4磁性核心的制备方法为：将FeCl3•6H2O溶解于乙二醇中，加入无水乙酸钠和柠檬酸三钠，连续搅拌0.5~2 h，将此反应液在160~250 ℃下反应2~5 h，得到Fe3O4母液。
3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：Fe3O4@SiO2纳米粒子的制备方法为：取Fe3O4磁性液体加入无水乙醇，逐滴添加氨水，反应30min，然后逐滴添加正硅酸四乙酯，反应2~5 h，得到Fe3O4@SiO2核壳式纳米粒子分散液。
4.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：Fe3O4@SiO2纳米颗粒的氨基化：将3-氨丙基三甲氧基硅烷逐滴添加到Fe3O4@SiO2分散液中，搅拌1~3 h，得到氨基化的Fe3O4@SiO2纳米颗粒。
5.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：Fe3O4@SiO2@CS纳米粒子的合成步骤中包括CS乙酸溶液的制备方法：将CS粉末置于2%的乙酸中，加热搅拌使其溶解，得到浓度为8~15 g/L的CS乙酸溶液。
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