[发明专利]一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用

说明书

本发明属于分析化学技术领域，尤其涉及一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用，本发明采用2‑Oxin为替代模板，AM为功能单体，以合成的Fe₃O₄@SiO₂@CS‑GO磁性纳米粒子为载体，通过表面印迹法制备了特异性针对于Pat吸附的磁性MIP。Fe₃O₄的加入使得最终制备的分子印迹吸附材料具有磁性，有利于材料与基质间的分离，免去了过滤、离心等繁杂的操作步骤，方便材料的回收。

技术领域

本发明属于分析化学技术领域，尤其涉及一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用。

背景技术

展青霉素(patulin，Pat)，是由青霉菌属(Penicillium)、曲霉菌属(Aspergillus)、丝衣霉菌属(Byssochlamys)等丝状真菌产生的具有毒性的次级代谢产物。据研究调查发现，Pat 对于果蔬类食品的污染是全球范围性的，包括美国、日本、英国、加拿大、西班牙、法国等地方都曾检测出Pat含量超标。Pat主要侵染果实表面的损伤处，因而常存在于霉烂的瓜果蔬菜之中。由于苹果汁呈酸性，而Pat在低pH环境下拥有一定的热稳定性，因此巴氏杀菌很难将它除去。其在80℃温度条件下加热20min后仍有45％残存，所以Pat引入苹果汁及其他苹果制品中的概率很大

分子印迹技术(molecular imprinting technique，MIT)是指在分子水平上刻印、复制目标分子的结构、大小、形状，制备出具有特异性识别能力的分子印迹聚合物(molecular imprinted polymer，MIP)。近些年，分子印迹技术广泛应用在众多领域，然而目前未曾有过适用于检测展青霉素的分子印迹材料。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用，以便得到能够识别并特异性结合展青霉素的纳米材料并将其应用于工业生产中，用于脱除苹果汁中的展青霉素。

本发明提出的一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成方法，采用2-吲哚酮为替代模板，丙烯酰胺为功能单体，以Fe₃O₄@SiO₂@CS-GO磁性纳米粒子为载体，通过表面印迹法制备磁性分子印迹纳米材料。

进一步的，磁性分子印迹纳米材料的制备方法包括：Fe₃O₄磁性核心的制备；Fe₃O₄@SiO₂纳米粒子的制备；Fe₃O₄@SiO₂纳米粒子的氨基化及Fe₃O₄@SiO₂@CS纳米粒子的合成；GO载体与Fe₃O₄@SiO₂@CS纳米粒子的结合；表面印迹法合成Fe₃O₄@SiO₂@CS-GO@MIP。

进一步的，Fe₃O₄磁性核心的制备方法为：将FeCl₃·6H₂O溶解于乙二醇中，加入无水乙酸钠和柠檬酸三钠，连续搅拌0.5～2h，将此反应液在160～250℃温度下，反应2～5h，常温冷却后即可得到Fe₃O₄母液。

进一步的，FeCl₃·6H₂O的浓度为20～30g/L。

进一步的，无水乙酸钠和柠檬酸三钠的浓度分别为50～65g/L。