[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

基板，其具有第一导电层和比所述第一导电层设置为更深的第二导电层；

大直径凹部，其在所述基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层和所述第二导电层重叠的开口，所述第一导电层在所述大直径凹部的底部的至少一部分中露出，其中所述大直径凹部的底部与所述第一导电层的上部共面；

小直径凹部，其从所述大直径凹部延伸，所述第二导电层在所述小直径凹部的底部露出；

导电部件，其设置于由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中以将所述第一导电层和所述第二导电层连接；以及

层间绝缘膜，其暴露于所述导电部件、所述大直径凹部的底部和所述小直径凹部的顶部，

其中，所述导电部件是设置于所述连接孔的内壁上的导电膜，

其中，所述大直径凹部具有在多个不同的深度处形成的底部，导电层分别在每个深度的所述底部处露出，其中，仅在所述大直径凹部的最深位置的所述底部处使所述第一导电层和所述层间绝缘膜一起露出，并且在所述大直径凹部的其它深度的所述底部处使仅所述导电层露出。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述基板为接合基板，该接合基板将包含所述第一导电层的第一基板和包含所述第二导电层的第二基板接合在一起。

3.一种半导体装置，其包括：

接合基板，其具有第一导电层和比所述第一导电层设置为更深的第二导电层，其中，所述接合基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括所述第一导电层，所述第二基板包括所述第二导电层；

绝缘膜；

大直径凹部，其在所述接合基板的剖面中，在所述接合基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层的布线的至少一部分和所述第二导电层的布线的至少一部分重叠的开口，其中，所述大直径凹部包括第一阶梯状部分和第二阶梯状部分；

小直径凹部，其从所述大直径凹部延伸；

导电部件，其设置于由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中，

其中，所述第一阶梯状部分电连接至所述第一导电层的至少一部分，并且所述第二阶梯状部分仅连接至所述绝缘膜的一部分，并且

其中，所述小直径凹部电连接至所述第二导电层，

其中，所述导电部件是设置于所述连接孔的内壁上的导电膜，

其中，所述大直径凹部具有在多个不同的深度处形成的底部，导电层分别在每个深度的所述底部处露出，其中，仅在所述大直径凹部的最深位置的所述底部处使所述第一导电层和所述绝缘膜一起露出，并且在所述大直径凹部的其它深度的所述底部处使仅所述导电层露出。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述导电部件将所述第一导电层的布线连接至所述第二导电层的布线。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述大直径凹部从所述接合基板的主面侧延伸至所述第一导电层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述小直径凹部从所述大直径凹部延伸至所述第二导电层。

7.如权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：

接合部，其中，所述第一基板在所述接合部处接合至所述第二基板。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述第一基板通过粘接剂接合至所述第二基板。

9.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述导电部件与所述绝缘膜的至少一部分接触。

10.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述小直径凹部与所述大直径凹部不是同心的。

11.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述绝缘膜是第一层间绝缘膜，其中，所述第一导电层形成在所述第一层间绝缘膜中，并且其中，所述小直径凹部的一部分至少部分地形成在所述第一层间绝缘膜中。