[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成第一区域中的第一晶体管的第一栅极电极、以及第二区域中的第二晶体管的第二栅极电极；

在所述第一区域和所述第二区域中形成在所述衬底之上的偏移间隔体膜，以覆盖所述第一栅极电极和所述第二栅极电极；

选择性地蚀刻在所述第二区域中形成的所述偏移间隔物膜，以暴露所述第二栅极电极的上表面、以及所述衬底的在所述第二区域中的所述第二栅极电极周围的上表面，并留下在所述第一区域中形成的所述偏移间隔物膜、以及在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔体膜；

在所述第一区域中形成的所述偏移间隔物膜、所述第二栅极电极、所述第二栅极电极的侧边的所述偏移间隔物膜、以及所述第二区域中的所述衬底上形成第一绝缘膜；

形成第二绝缘膜以覆盖所述第一绝缘膜；

通过回蚀刻所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，形成在所述第一栅极电极上形成的所述偏移间隔物膜的侧边上的第一侧壁、以及在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜的侧边上的第二侧壁；以及

通过使用第一栅极电极、在所述第一栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜、所述第一侧壁、所述第二栅极电极、在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜以及所述第二侧壁作为掩模，在所述衬底中注入离子，由此形成用于所述第一晶体管的源极和漏极的第一扩散层、以及用于所述第二晶体管的源极和漏极的第二扩散层。

2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，还包括：

通过使用所述第一栅极电极、在所述第一栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜、所述第二栅极电极和在所述第二栅极电极的侧边上形成的所述偏移间隔物膜作为掩模，在所述衬底中注入离子，由此在形成所述第一绝缘膜之前，形成所述第一晶体管的第一轻掺杂漏极(LDD)区域、以及所述第二晶体管的第二轻掺杂漏极区域。

3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成所述第一扩散层和所述第二扩散层之后，在所述第一侧壁和所述第二侧壁上形成硅化物阻挡膜；以及

在所述第一扩散层上形成第一硅化物层，在所述第二扩散层上形成第二硅化物层，在所述第一栅极电极上形成第三硅化物层，以及在所述第二栅极电极上形成第四硅化物层。

4.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，选择性地蚀刻所述偏移间隔体膜包括：

形成掩模膜以覆盖第一区域，

使用所述掩模膜作为掩模来蚀刻所述偏移间隔体膜；以及

去除在所述第一区域中形成的所述掩模膜。

5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述第一区域是动态随机存取存储区域，以及所述第二区域是逻辑区域。

6.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，通过执行选择性蚀刻所述偏移间隔体膜，在截面图中，所述衬底的在所述第一区域中的一部分的上表面被定位为高于所述衬底的在所述第二区域中的一部分的上表面。

7.根据权利要求6的制造半导体器件的方法，

其中，所述衬底的在所述第一区域中的一部分的上表面位于所述第一侧壁下方，

其中，所述衬底的在所述第二区域中的一部分的上表面位于所述第二侧壁下方。

8.根据权利要求2的制造半导体器件的方法，

其中，执行用于形成所述第一轻掺杂漏极区域和所述第二轻掺杂漏极区域的、在所述衬底中的注入离子，从而在截面视图中，所述第一轻掺杂漏极区域的底表面被定位为高于所述第二轻掺杂漏极区域的底表面。

9.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中，执行所述第一侧壁和所述第二侧壁的形成，从而所述第二侧壁与所述衬底的在所述第二区域中的一部分的上表面接触。