[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。

本申请是于2013年4月19日提交的申请号为201310148693.4、名称为“半导体器件及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

在此通过引用而并入于2012年4月20日提交的日本专利申请No.2012-096641的包括说明书、附图和摘要的公开的全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法，并且特别地涉及包括具有彼此不同的特性的两种类型的晶体管的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。

背景技术

一些半导体器件包括具有彼此不同的特性的两个或者更多种类型的晶体管。例如，具有安装在一个相同半导体芯片上的存储器和逻辑电路二者的半导体包括用于读取和写入存储器的晶体管和形成逻辑电路的晶体管。前一种类型的晶体管需要减小泄漏电流，并且后一种类型的晶体管需要高速运算与低功耗的兼容。在这种情况下，两种类型的晶体管有时候可能部分结构上彼此不同。例如，日本未审查专利申请公开号2011-66391描述了用于存储器的晶体管和用于逻辑电路的晶体管的侧壁的宽度彼此不同。

另外，日本未审查专利申请公开号2010-67785和2010-171086描述了偏移间隔体膜具有双层结构。另外，日本未审查专利申请公开号2011-3710描述了从充当源极和漏极的区域移除偏移间隔体膜，并且在晶体管中需要精化作为DRAM的区域上外延生长硅层。

发明内容

如上所述，有时在一个相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的晶体管和需要兼容高速运算和低功耗的晶体管。另一方面，半导体器件的精化近年来已经有所进展。因此，提供分别具有足够性能的两种类型的晶体管变得困难。

本发明的其他目的和新特征将通过结合附图阅读本说明书而变得易见。

根据本发明的一个方面，在衬底上形成第一晶体管和第二晶体管。衬底中形成充当第一晶体管的源极和漏极的第一扩散层的区域的上表面高于衬底中形成充当第二晶体管的源极和漏极的第二扩散层的区域的上表面。

根据该方面，可以在一个相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管和需要高速运算与低功耗之间的兼容的第二晶体管，并且两种类型的晶体管分别提供有充足的性能。

附图说明

图1A是示出根据第一实施方式的半导体器件的配置的平面图；

图1B是示出DRAM区域的布局的平面图；

图2是半导体器件的截面图；

图3是示出第一晶体管的配置的截面图；

图4是示出第二晶体管的配置的截面图；

图5A和图5B是示出根据该实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；

图6A和图6B是示出根据该实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；

图7A和图7B是示出根据该实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；

图8A和图8B是示出根据该实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；

图9A和图9B是示出根据该实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；

图10A和图10B是示出根据该实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；