[发明专利]一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201810827786.2 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108933080A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何鹏;余宏萍 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 氧化膜 薄膜晶体管 基板 刻蚀 制备 多晶硅薄膜表面 准分子激光 粗糙度 氢氟酸 申请 保留 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板，在所述基板上形成非晶硅薄膜；
将所述非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在所述非晶硅薄膜上形成氧化膜；
利用氢氟酸对所述氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；
对所述非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述将非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在所述非晶硅薄膜上形成氧化膜包括：
将所述非晶硅薄膜置于洁净度小于或等于1000级的空气环境中进行氧化反应。
3.根据权利要求2所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化反应的反应温度为21～27℃，空气湿度为48～62％，反应时间为5～8小时。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用氢氟酸对所述氧化膜进行刻蚀包括：
利用喷淋的方式将所述氢氟酸溶液喷淋在所述氧化膜上，以对所述氧化膜层进行刻蚀；所述氢氟酸的浓度为0.21～0.35％/40s，所述基板的传送速度7000～9000R/min。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述保留的氧化膜的粗糙度R为6.5～8.0nm。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化膜的厚度为所述保留的氧化膜的厚度为
7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括提供基板，在所述基板上形成多晶硅层；其中，所述多晶硅层利用如权利要求1-6任一项所述的多晶硅薄膜的制备方法制得。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成多晶硅层包括：
在所述基板上依次形成遮光层和缓冲层，在所述缓冲层上形成所述多晶硅层。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法还包括对所述多晶硅层进行离子掺杂。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在所述多晶硅层上形成绝缘层、栅电极、源电极和漏电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
