[发明专利]一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法

说明书

本申请公开了一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：提供基板，在基板上形成非晶硅薄膜；将非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在非晶硅薄膜上形成氧化膜；利用氢氟酸对氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；对非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。通过上述方式，本申请能够降低多晶硅薄膜表面的粗糙度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。LCD有非晶硅(A-Si)、多晶硅(LTPS)两种显示技术，LTPS较A-Si具有解析度高，视角广等优点。本申请的发明人在长期的研发过程中，发现在LTPS产品中，传统工艺制得的多晶硅(poly-Si)表面粗糙度较高，影响产品信赖性。

其中，在一制备方法中，在形成非晶硅薄膜后，先利用氢氟酸将非晶硅薄膜表面自然形成的氧化膜全部刻蚀掉；然后利用臭氧进行氧化形成新的氧化膜；干燥后对非晶硅薄膜进行准分子激光处理得到多晶硅薄膜。但这种方法制得的多晶硅薄膜的表面粗糙度较高，例如粗糙度值R为11.5nm，具体请参阅图1所示，图1为现有技术中一多晶硅薄膜表面的示意图。

其中，在另一制备方法中，在形成非晶硅薄膜后，先利用氢氟酸将非晶硅薄膜表面自然形成的氧化膜全部刻蚀掉；然后对非晶硅薄膜进行两次准分子激光处理；第一次准分子激光处理后会在非晶硅薄膜表面形成一层均匀且较薄的氧化膜；具体地，在第一次准分子激光处理时，在有少量氧气存在的氛围中利用激光对非晶硅薄膜进行快速扫描，以形成氧化膜；然后进行第二次准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。这种方法形成的氧化膜厚度较薄，在重结晶过程中挤压时间缩短即凸起降低，使粗糙度下降，例如粗糙度值R为5.6nm，具体请参阅图2所示，图2为现有技术中另一多晶硅薄膜表面的示意图，但这种方法成本较高。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法，能够降低多晶硅薄膜表面的粗糙度。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种多晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：提供基板，在基板上形成非晶硅薄膜；将非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在非晶硅薄膜上形成氧化膜；利用氢氟酸对氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；对非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括提供基板，在基板上形成多晶硅层；其中，在基板上形成非晶硅薄膜；将非晶硅薄膜置于空气中进行氧化，以在非晶硅薄膜上形成氧化膜；利用氢氟酸对氧化膜进行刻蚀，刻蚀后保留部分氧化膜；对非晶硅薄膜进行准分子激光处理，形成多晶硅薄膜层。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供一种多晶硅薄膜的制备方法，在该方法中，通过利用空气中的氧气对非晶硅薄膜慢慢氧化形成氧化膜，能够降低所得多晶硅薄膜表面的粗糙度。

附图说明

图1是现有技术中一多晶硅薄膜表面的示意图；

图2是现有技术中另一多晶硅薄膜表面的示意图；

图3是本申请多晶硅薄膜制备方法第一实施方式的流程示意图；

图4是本申请多晶硅薄膜制备方法中形成非晶硅薄膜的示意图；

图5是本申请多晶硅薄膜制备方法中形成氧化膜的示意图；

图6是本申请多晶硅薄膜制备方法中刻蚀氧化膜的示意图；

图7是本申请所得多晶硅薄膜表面的示意图；