[发明专利]一种RDL金属线的制造方法及结构在审
| 申请号： | 201810827840.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767625A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 朱红波;周祖源;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 干膜 金属线 晶圆 侧壁部 上表面 裸露 沉积金属层 工艺复杂度 工艺步骤 供电轨道 裸露焊盘 图形化 焊盘 减小 线宽 去除 制造 隔离 保留 | ||
1.一种RDL金属线的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一晶圆，所述晶圆的上表面包括焊盘；
S2：在所述晶圆的上表面形成干膜；
S3：图形化所述干膜，在所述干膜中形成沟槽，所述沟槽裸露所述焊盘；
S4：沉积金属层，所述金属层包括位于所述干膜上的第一子金属层，以及位于所述沟槽底部的第二子金属层，所述第一子金属层与所述第二子金属层之间的所述沟槽具有裸露侧壁部，所述第一子金属层与所述第二子金属层由所述裸露侧壁部隔离；
S5：去除所述干膜及位于所述干膜上的所述第一子金属层，保留位于所述沟槽底部的所述第二子金属层，以形成所述RDL金属线。
2.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：在步骤S1与步骤S2之间还包括：在所述晶圆的上表面形成介质层、图形化所述介质层以裸露所述焊盘的步骤。
3.根据权利要求2所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述介质层包括光敏性聚酰亚胺(PI)聚合物薄膜、聚苯并噁(PBO)聚合物薄膜及苯并环丁烯(BCB)聚合物薄膜中的一种或组合。
4.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述干膜包括PI聚合物薄膜及PBO聚合物薄膜中的一种或组合。
5.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：形成所述干膜的方法包括压膜法、PVD及CVD中的一种。
6.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述干膜的厚度范围为100μm～200μm。
7.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述沟槽的深宽比范围为0.5～3。
8.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述沟槽的宽度范围为10μm～800μm。
9.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述金属层由铜、铝、银、铬、钛、钽、钼及钕中的一种或两种以上组合形成。
10.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：形成所述金属层的方法包括PVD及电镀法中的一种。
11.根据权利要求10所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：采用电镀法形成所述金属层时，所述金属层还包括金属种子层。
12.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述金属层的厚度范围为10μm～80μm，且所述金属层的厚度小于所述干膜的厚度。
13.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述金属层与所述干膜的厚度比的范围为0.1～0.5。
14.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述第二子金属层与所述沟槽的侧壁之间具有预设距离的间隙。
15.根据权利要求14所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述预设距离的间隙范围为0.1μm～10μm。
16.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：去除所述干膜的方法包括等离子体干法蚀刻及湿法蚀刻中的一种。
17.根据权利要求1所述的RDL金属线的制造方法，其特征在于：所述RDL金属线的线宽范围为1μm～1.5μm，相邻所述RDL金属线的间距范围为0.1μm～0.3μm。
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