[发明专利]一种RDL金属线的制造方法及结构

说明书

本发明提供一种RDL金属线的制造方法及结构，包括以下步骤：S1：提供一晶圆，晶圆的上表面包括焊盘；S2：在晶圆的上表面形成干膜；S3：图形化干膜，在干膜中形成沟槽，沟槽裸露焊盘；S4：沉积金属层，金属层包括位于干膜上的第一子金属层，以及位于沟槽底部的第二子金属层，第一子金属层与第二子金属层之间的沟槽具有裸露侧壁部，第一子金属层与第二子金属层由裸露侧壁部隔离；S5：去除干膜及位于干膜上的第一子金属层，保留位于沟槽底部的第二子金属层，以形成RDL金属线。本发明可减少制造RDL金属线的工艺步骤、降低工艺复杂度、降低生产成本及减小RDL金属线的线宽及线间距，以提高RDL的供电轨道。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，涉及一种RDL金属线的制造方法及结构。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型集成电路的出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高的密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

晶圆级封装(WLP)技术由于具有小型化、低成本、高集成度以及具有更好的性能和更高的能源效率等优点，因此，已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。

WLP技术是以BGA技术为基础，是一种经过改进和提高的CSP。以晶圆为加工对象，在晶圆上同时对众多芯片进行封装、老化及测试，最后切割成单个器件，可以直接贴装到基板或印刷电路板上，它使封装尺寸减小到IC芯片的尺寸，生产成本大幅度降低。

重新布线层(RDL)可对芯片的焊盘的焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。对于高I/O芯片封装结构而言，需要多层RDL金属线。然而，在有限的外形形状及封装尺寸下，RDL金属线的线宽及线间距越小意味着可以得到越多的供电轨道。

在现有工艺中，RDL金属线制造部分是整个WLP流程中最昂贵的部分，它需要较多的过程步骤及复杂的流程，如图1所示，显示为现有技术中，制造RDL金属线的工艺流程的示意图。其采用PVD形成Ti/Cu金属种子层，而后沉积光阻、图形化光阻，采用电镀法在Ti/Cu金属种子层上电镀Cu金属层，去除光阻，而后刻蚀Ti/Cu金属种子层，形成RDL金属线。该方法由于首先形成Ti/Cu金属种子层，采用电镀法制造RDL金属线，因此后期需采用刻蚀工艺去除多余的Ti/Cu金属种子层，因此工艺流程步骤多、工艺复杂，且在进行刻蚀步骤时，由于Ti的刻蚀速率比Cu的刻蚀速率慢很多，在对所述Ti/Cu金属种子层进行刻蚀的过程中会存在侧切现象，从而很难得到线宽及线间距非常小的RDL金属线，进而很难得到较多的供电轨道。

因此，提供一种RDL金属线的制造方法及结构，以减少工艺步骤、降低工艺复杂度、降低生产成本及减小RDL金属线的线宽及线间距，以提高RDL的供电轨道，已成为本领域亟待解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种RDL金属线的制造方法及结构，用于解决现有技术中制造RDL金属线工艺步骤多、工艺复杂、生产成本高及难以制造具有较小线宽及线间距的RDL金属线的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种RDL金属线的制造方法，包括以下步骤：

S1：提供一晶圆，所述晶圆的上表面包括焊盘；

S2：在所述晶圆的上表面形成干膜；

S3：图形化所述干膜，在所述干膜中形成沟槽，所述沟槽裸露所述焊盘；

S4：沉积金属层，所述金属层包括位于所述干膜上的第一子金属层，以及位于所述沟槽底部的第二子金属层，所述第一子金属层与所述第二子金属层之间的所述沟槽具有裸露侧壁部，所述第一子金属层与所述第二子金属层由所述裸露侧壁部隔离；