[发明专利]一种用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

先在叉指金电极表面涂覆ZnO纳米胶体溶液，然后再化学反应得到表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极；再将表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极加入到吡咯与植酸混合溶液中反应，进一步喷涂抗冷缓冲层，得到用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜；其中所述抗冷缓冲层由石墨烯气凝胶、聚乙二醇、聚氨酯乳液以质量比1:10：3分散而成的胶状物，涂层厚度为1-10μm。

2.如权利要求1所述的用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，将叉指金电极用酸、碱和纯水超声清洗干净，然后在叉指金电极表面涂覆ZnO纳米胶体溶液。

3.如权利要求2所述的用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，将叉指金电极用酸、碱和纯水超声清洗干净，在叉指金电极表面涂覆浓度为 0.05～0.5mol·L^-1的ZnO纳米胶体溶液，60～180℃下加热1-3 h，得到表面涂覆ZnO纳米胶体的叉指金电极。

4.如权利要求1所述的用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，将表面涂覆ZnO纳米胶体的叉指金电极浸入硝酸锌和六亚甲基四胺的混合溶液中，反应后洗涤、干燥，得到表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极。

5.如权利要求4所述的用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，将0.2-0.4 mol·L^-1的硝酸锌溶液，加入0.2-0.4 mol·L^-1六亚甲基四胺的水溶液中形成混合溶液，将表面涂覆ZnO纳米胶体的叉指金电极表面朝下浸入混合溶液中，在75-105℃烘箱中反应2-4h后取出，得到表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极。

6.如权利要求1所述的用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，将表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极加入到吡咯与植酸混合溶液中，再加入聚乙烯吡咯烷酮和过硫酸铵超声分散，反应后得到气敏膜。

7.如权利要求1所述的用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜的制备方法，其特征在于，依次将聚乙烯吡咯烷酮、植酸、吡咯以及去离子水按照1:2:1:500的摩尔比投入反应容器中，在10-20℃条件下搅拌反应2-3h，随后滴加与吡咯等摩尔的过硫酸铵配制的水溶液，搅拌均匀后在12-15℃条件下继续恒温反应2-3h，抽滤，用乙醇和去离子水反复洗涤后室温真空干燥，得到气敏膜。

8.一种用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜，其特征在于，所述的气体传感器通过权利要求1-7中任一项所述的制备方法得到。