[发明专利]一种柔性TFT基板的镀膜工艺在审
| 申请号： | 201810833954.9 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109166786A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 高迪;万志龙;丁文涛;谭晓彬;李林 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性基板 钼层 镀制 镀膜工艺 镀膜腔室 承载基板 铝层 温度过高 制备过程 钼铝钼层 形变 放入 翘曲 粘附 冷却 取出 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：
S1.提供承载基板；
S2.在所述承载基板形成柔性基板；
S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。
2.如权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，所述承载基板为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，步骤S2中，所述柔性基板通过有机粘结剂形成在所述承载基板上。
4.如权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，步骤S2的具体操作为：（1）在所述承载基板上涂覆有机粘结剂；（2）在涂覆有粘结剂的承载基板上涂布有机材料并固化，以形成柔性基板。
5.如权利要求4所述的镀膜工艺，其特征在于，所述有机材料为PI、PET、PES、PEN、PC中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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