[发明专利]一种柔性TFT基板的镀膜工艺在审
申请号: | 201810833954.9 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109166786A | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 高迪;万志龙;丁文涛;谭晓彬;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/77 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;廖苑滨 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性基板 钼层 镀制 镀膜工艺 镀膜腔室 承载基板 铝层 温度过高 制备过程 钼铝钼层 形变 放入 翘曲 粘附 冷却 取出 保证 | ||
本发明公开了一种柔性TFT基板的镀膜工艺,包括如下步骤:S1.提供承载基板;S2.在所述承载基板形成柔性基板;S3.将柔性基板置于镀膜腔室中,在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层,将柔性基板从镀膜腔室中取出,冷却至室温后再放入镀膜腔室中,在40‑60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。本发明中降低采用PVD镀膜的镀制温度,同时将第一钼层、以及铝层和第二钼层分次镀制,采用这种镀膜工艺,不仅可以保证钼铝钼层与柔性基板的粘附力,而且有效避免了TFT制备过程中因工艺温度过高柔性基板发生的形变、翘曲等问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及了一种柔性TFT基板的镀膜工艺。
背景技术
在显示技术领域,柔性显示器是基于柔性有机材料作为基板的显示器,其具有薄而轻、高对比度、快速响应、宽视角、高亮度、全彩色等优点,可以被弯曲、折叠、甚至作为可穿戴计算机的一部分,因此在显示效果好的便携产品和军事等特殊领域有非常广泛的应用,因此柔性显示技术已然成为下一代主流显示技术。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display,简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active MatrixOrganic Light-Emitting Diode,简称AMOLED)中的主要驱动元件,直接关系到高性能显示装置的发展方向。
一般将磁控溅射简称为PVD,基本原理是在于,先将溅镀靶材 (SputteringTarget)及基板设置在真空环境中,并且将靶材设于具有高电压的阴极侧,基板设于具有高电压的阳极侧,接着利用阴极与阳极间的辉光放电所形成的电浆,使靶材与基板之间所通入的溅镀气体产生出正离子,正离子受到阴极吸引而轰击靶材,使靶材的原子或分子被轰击出并沉积至基板表面,以达到使基板沉积出薄膜的目的。由于磁控溅射沉积的膜层均匀、致密、针孔少,纯度高,附着力强,可以 在低温、低损伤的条件下实现高速沉积各种材料薄膜,已经成为当今真空镀膜 中的一种成熟技术与工业化的生产方式。
现有技术在柔性TFT基板的制作中,通常在承载基板上涂布有机材料并固化,以制作出柔性基板,然后在柔性基板上通过磁控溅射的工艺镀制钼铝钼层。发明人在实践中发现,采用现有的镀膜工艺,柔性基板在高温工艺条件下会发生形变、翘曲等问题。
发明内容
为了弥补已有技术的缺陷,本发明提供一种柔性TFT基板的镀膜工艺。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种柔性TFT基板的镀膜工艺,包括如下步骤:
S1.提供承载基板;
S2.在所述承载基板形成柔性基板;
S3.将柔性基板置于镀膜腔室中,在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层,将柔性基板从镀膜腔室中取出,冷却至室温后再放入镀膜腔室中,在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造