[发明专利]一种P型电池片的制作方法有效
申请号: | 201810834218.5 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109004064B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 袁雪婷;金井升;张昕宇;金浩;张艳鹤 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 制作方法 | ||
1.一种P型电池片的制作方法,其特征在于,包括:
在340℃至400℃的环境内,利用光强为50kW/m2至80kW/m2的光源对P型电池片照射,将其内部的缺陷激活后钝化,进入再生态;
利用金属平台将所述P型电池片加热5秒至15秒,达到150℃至180℃,将更多的缺陷从退火态转变为衰减态;
利用红外激光照射所述P型电池片,持续时间为5秒至10秒,将此时处于衰减态的缺陷激活后钝化,进入再生态;
迅速降低所述P型电池片的温度,抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。
2.根据权利要求1所述的P型电池片的制作方法,其特征在于,
利用光浸润箱,在340℃至400℃的环境内,利用光强为50kW/m2至80kW/m2的全光谱光源对所述P型电池片照射,持续50秒至60秒。
3.根据权利要求1所述的P型电池片的制作方法,其特征在于,
在3秒至5秒的时间范围内,迅速降低所述P型电池片的温度至室温。
4.根据权利要求3所述的P型电池片的制作方法,其特征在于,
利用水冷方式,迅速降低所述P型电池片的温度至室温。
5.根据权利要求1-4任一项所述的P型电池片的制作方法,其特征在于,
利用光强为60kW/m2的全光谱光源对所述P型电池片照射。
6.根据权利要求1所述的P型电池片的制作方法,其特征在于,
利用波长范围为800nm至1300nm的红外激光照射所述P型电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的