[发明专利]一种P型电池片的制作方法有效
申请号: | 201810834218.5 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109004064B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 袁雪婷;金井升;张昕宇;金浩;张艳鹤 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 制作方法 | ||
本申请公开了一种P型电池片的制作方法,包括在340℃至400℃的环境内,利用光强为50kW/m2至80kW/m2的光源对P型电池片照射,将其内部的缺陷激活后钝化,进入再生态;将所述P型电池片加热,达到150℃至180℃,将更多的缺陷从退火态转变为衰减态;利用红外激光照射所述P型电池片,将此时处于衰减态的缺陷激活后钝化,进入再生态;迅速降低所述P型电池片的温度,抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。上述P型电池片的制作方法,能够提升电池片的光电转换效率,降低光致衰减和光辅热衰减,提高光伏产品的品质。
技术领域
本发明属于光伏设备技术领域,特别是涉及一种P型电池片的制作方法。
背景技术
现有技术中,包括掺硼单晶电池片在内的P型电池片,由于存在未激活的缺陷,在正常工作条件下,缺陷会被逐渐激活,形成复合中心,导致效率下降,这种衰减包含光致衰减和光辅热衰减,严重影响了产品的售后功率保障,使得一些衰减较高的电池片不得不降档标定,耗费大量的生产成本。为解决这个问题,现有技术中采用退火炉来降低光衰,目前国内掺硼单晶硅电池片制作时使用的退火工艺有两类,包括光注入和电注入,在电池片内产生大量少子的同时辅以一定的温度,实现再生过程,使得部分缺陷被钝化。然而,现有的光退火工艺采用的只是LED全光谱光源,而且采用链式反应炉,其温度和光照的控制精度较差,无法达到理想条件,因此生产出的电池片的光致衰减和光辅热衰减仍然较高,在70℃和5kW光辐射量的光衰后,相对效率衰减约为0.8-1.8%,严响影响售后功率保障。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种P型电池片的制作方法,能够提升电池片的光电转换效率,降低光致衰减和光辅热衰减,提高光伏产品的品质。
本发明提供的一种P型电池片的制作方法,包括:
在340℃至400℃的环境内,利用光强为50kW/m2至80kW/m2的光源对P型电池片照射,将其内部的缺陷激活后钝化,进入再生态;
将所述P型电池片加热,达到150℃至180℃,将更多的缺陷从退火态转变为衰减态;
利用红外激光照射所述P型电池片,将此时处于衰减态的缺陷激活后钝化,进入再生态;
迅速降低所述P型电池片的温度,抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
利用光浸润箱,在340℃至400℃的环境内,利用光强为50kW/m2至80kW/m2的全光谱光源对所述P型电池片照射,持续50秒至60秒。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
利用金属平台将所述P型电池片加热5秒至15秒,达到150℃至180℃。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
利用红外激光照射所述P型电池片,持续时间为5秒至10秒。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
在3秒至5秒的时间范围内,迅速降低所述P型电池片的温度至室温。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
利用水冷方式,迅速降低所述P型电池片的温度至室温。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
利用光强为60kW/m2的全光谱光源对所述P型电池片照射。
优选的,在上述P型电池片的制作方法中,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的