[发明专利]反应腔室及半导体热处理设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括内炉管和套置在所述内炉管外周的外炉管，其特征在于，还包括进气管，所述进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部，其中，

所述内炉管上设置有第一通孔；所述第一管部的出气端伸入所述第一通孔中，且所述第一管部通过所述第一通孔与所述内炉管的内部连通；

所述第二管部设置在所述内炉管和外炉管之间；

所述外炉管上设置有第二通孔；所述第三管部的进气端通过所述第二通孔延伸至所述外炉管的外部；

所述第一管部与所述第一通孔相配合，且所述第三管部固定在所述第二通孔处，以能够使所述进气管整体固定不动。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一通孔的直径大于或者等于所述第一管部的外径；并且，在所述第一通孔的直径大于所述第一管部的外径时，所述第一管部与所述第一通孔相接触，以限定所述第一管部的位置。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第二管部与所述外炉管的内侧壁相贴合。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述内炉管的管壁上沿其厚度方向贯穿形成所述第一通孔；所述外炉管的管壁上沿其厚度方向贯穿形成所述第二通孔；

所述第一管部水平设置；

所述第三管部水平设置。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述第三管部的外径大于所述第二管部的外径；并且，所述进气管还包括过渡管部，所述过渡管部串接在所述第三管部与第二管部之间，且所述过渡管部的两端的外径分别与所述第三管部与第二管部相等，并且所述过渡管部的外径自所述第二管部向所述第三管部逐渐增大。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室，其特征在于，还包括固定接头，所述固定接头设置在所述外炉管的外周壁上，且在所述固定接头中设置有固定孔，所述第三管部设置在所述固定孔中，用于使所述第三管部在所述第二通孔中固定不动。

7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，在所述固定孔与所述第三管部之间设置有密封圈。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述密封圈为至少两个，且沿所述第三管部的轴向间隔设置。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括连接管，所述连接管的一部分位于所述固定孔中，且套置在所述第三管部上；所述连接管的其余部分位于所述固定接头的外部，用于连接气源；并且，在所述连接管与所述第三管部之间设置有密封圈。

10.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。