[发明专利]反应腔室及半导体热处理设备

说明书

本发明提供一种反应腔室及半导体热处理设备，包括内炉管，套置在内炉管外周的外炉管和进气管，进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部；第一管部的出气端伸入设置在内炉管上的第一通孔中，且第一管部通过第一通孔与内炉管的内部连通；第二管部设置在内炉管和外炉管之间，第三管部的进气端通过设置在外炉管上的第二通孔延伸至外炉管的外部；第一管部与第一通孔相配合，且第三管部固定在第二通孔处，以能够使进气管整体固定不动。其可以提高进气管的固定稳定性，并能够防止进气管与基片发生碰撞，减少损失，且工艺气体不会受到进气管自身结构的影响，提高工艺气体在反应腔室内分布的均匀性，从而提高半导体热处理的工艺效果。

技术领域

本发明涉及半导体热处理设备技术领域，具体地，涉及一种反应腔室及半导体热处理设备。

背景技术

目前，半导体热处理设备是集成电路制造的重要工艺设备，主要包括反应腔室及石英进气管，工艺气体通过石英进气管进入反应腔室内。石英进气管的出气口位置以及其自身结构都会影响工艺气体的在反应腔室内的分布，进而影响半导体热处理的工艺效果，因此，石英进气管的安装位置以及稳定性对于半导体热处理设备是非常重要的。

如图1所示，在现有的一种半导体热处理设备中，进气管11包括水平部分与竖直部分，其中，竖直部分位于反应腔室内，水平部分的一端与竖直部分连接，另一端穿过反应腔室壁12，并向外延伸。工艺气体依次通过水平部分与竖直部分进入反应腔室内。并且，在反应腔室内，且位于竖直部分的下方还设置有支架13，该支架13具有螺纹孔13，并在该螺纹孔13中安装有螺栓14，该螺栓14的上端与进气管11的水平部分抵接，以起到支撑进气管11的作用，并可以通过旋转螺栓14来调整进气管11的位置。

在图1所示的现有技术中，进气管11仅由螺栓14支撑，容易造成进气管11发生倾斜，导致进气管11的出气口位置发生变化，从而影响工艺气体在反应腔室中的分布，并且螺栓14直接顶在进气管11的底部，容易造成进气管11的底壁发生破碎，而且由于进气管11设置在反应腔室内部，进气管11自身结构会影响工艺气体的气流以及温度的均匀性，且若进气管11的固定失效，进气管11可能会倾斜并磕碰反应腔室内的基片，造成严重损失，并且由于反应腔室内温度较高，容易出现螺栓14与螺纹孔13卡死或者松动影响进气管11的正常使用。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室及半导体热处理设备，其可以提高进气管的固定稳定性，并能够防止进气管与基片发生碰撞，减少损失，且工艺气体不会受到进气管自身结构的影响，提高工艺气体在反应腔室内分布的均匀性，从而提高半导体热处理的工艺效果。

为实现本发明的目的而提供一种反应腔室，包括内炉管和套置在所述内炉管外周的外炉管，还包括进气管，所述进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部，其中，

所述内炉管上设置有第一通孔；所述第一管部的出气端伸入所述第一通孔中，且所述第一管部通过所述第一通孔与所述内炉管的内部连通；

所述第二管部设置在所述内炉管和外炉管之间；

所述外炉管上设置有第二通孔；所述第三管部的进气端通过所述第二通孔延伸至所述外炉管的外部；

所述第一管部与所述第一通孔相配合，且所述第三管部固定在所述第二通孔处，以能够使所述进气管整体固定不动。

优选的，所述第一通孔的直径大于或者等于所述第一管部的外径；并且，在所述第一通孔的直径大于所述第一管部的外径时，所述第一管部与所述第一通孔相接触，以限定所述第一管部的位置。

优选的，所述第二管部与所述外炉管的内侧壁相贴合。

优选的，所述内炉管的管壁上沿其厚度方向贯穿形成所述第一通孔；所述外炉管的管壁上沿其厚度方向贯穿形成所述第二通孔；

所述第一管部水平设置；