[发明专利]一种高速缓存装置及数据高速读写终端

说明书

本申请公开了一种由处理器主板、DDRSDRAM以及QDR SRAM组成的高速缓存装置，将QDR SRAM颗粒基于常规DDR SDRAM采用的DIMM接口封装方式得到的QDR SRAM能够直接通过处理器已经存在的DIMM接口与处理器主板建立连接，这是由于QDR SRAM与DDR SDRAM在对随机地址存取效率上的差别与接口类型并无直接关系，不会影响QDR SRAM拥有的高存取效率特性，且由于无需更换处理器主板上的接口类型，能够以较低的改造程度带来更高的存取效率，满足银行等特殊应用场景的需求。本申请还同时公开了一种设置有该高速缓存装置的数据高速读写终端，具有上述有益效果。

技术领域

本申请涉及数据存储硬件领域，特别涉及一种高速缓存装置及数据高速读写终端。

背景技术

为公众所熟悉的，一台数据终端通常包括集成有处理器的主板和单独的数据存储装置，且主板上也设置有一些片内寄存器用于暂时存放一些数据，但这些片内寄存器的存储容量较小，当需要存储更多的数据时就需要拥有更大存储容量的片外存储单元。本申请仅讨论当该片外存储单元为数据读写速度较快、用来高速缓存数据的内存的情况。

绝大多数情况下选用SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器)作为片外存储单元，SDRAM中的同步是指该类存储器工作时需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。但由于该类存储器只在上升沿进行读/写，使得读写效率较低，在对随机地址存取时效率更低。虽然采用DDR(Double Data Rate，双倍速率，还能在下降沿进行读/写)方式得到的DDRSDRAM能将效率提升一倍，但依然不能满足银行等对随机地址进行存取时要求的效率。

因此出现了一种对随机地址存取效率更高的内存—QDR SRAM，其中，SRAM(StaticRandom Access Memory，静态随机存取存储器)是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。性能较高，对于随机地址存取能达到100％的效率，但容量小，集成度低；而采用QDR(Quad Data Rate Static，四倍速率)方式得到的QDR SRAM则拥有两独立的数据通道，数据读/写操作可以同时进行，属于全双工工作方式，有着较高的随机存取速率和较低的读写延时。

但QDR SRAM只是一种标准，在标准制定过程中为其赋予了不同于DDR SDRAM的接口封装方式，也就是说其在处理器主板上的插槽也不同于DDR SDRAM DIMM，导致原先的处理器主板无法兼容QDR SRAM这类内存，若直接更换基于QDR SRAM接口的处理器主板，无疑会带来更高的实现成本。

因此，如何提供一种既能满足特殊应用场景对随机地址存取效率的高要求，又能尽可能的降低实现成本是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种由处理器主板、DDR SDRAM以及QDR SRAM组成的高速缓存装置，将QDR SRAM颗粒基于常规DDR SDRAM采用的DIMM接口封装方式得到的QDR SRAM能够直接通过处理器已经存在的DIMM接口与处理器主板建立连接，这是由于QDR SRAM与DDRSDRAM在对随机地址存取效率上的差别与接口类型并无直接关系，不会影响QDR SRAM拥有的高存取效率特性，且由于无需更换处理器主板上的接口类型，能够以较低的改造程度带来更高的存取效率，满足银行等特殊应用场景的需求。

本申请的另一目的在于提供了一种设置有该高速缓存装置的数据高速读写终端。

为实现上述目的，本申请提供一种高速缓存装置，该高速缓存装置包括处理器主板、DDR SDRAM以及QDR SRAM，所述处理器主板上设置有预设数量的DIMM，所述QDR SRAM是将QDR SRAM颗粒基于所述DIMM接口封装得到的，所述DDR SRAM和所述QDR SRAM均通过所述DIMM与所述处理器主板建立连接。