[发明专利]一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法

权利要求书

1.一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，包括：

将光衰后的掺硼单晶电池与金属平台紧密接触，利用所述金属平台传导的热量将所述光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；

利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；

迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。

2.根据权利要求1所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，所述预热过程持续3秒至5秒。

3.根据权利要求1所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，利用波长范围为800nm至1300nm的红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子。

4.根据权利要求1所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，利用水冷方式迅速降低所述掺硼单晶电池的温度。

5.根据权利要求4所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，所述水冷方式利用的是10℃至20℃的水。

6.根据权利要求1-5任一项所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，所述利用红外激光照射所述掺硼单晶电池持续的时间范围为15秒至20秒。