[发明专利]一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法

说明书

本申请公开了一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，包括将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，能够使光衰后的单晶电池的光电转换效率基本恢复到光衰之前的水平，减少资源浪费，降低生产成本和人工成本。

技术领域

本发明属于光伏设备技术领域，特别是涉及一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法。

背景技术

对于掺硼单晶电池，由于存在未激活的缺陷，在正常工作条件下，缺陷会被逐渐激活，形成复合中心，导致效率下降，这就是光致衰减，生产线上对于电池片的光致衰减程度有一个严格标准，通过抽样检测来把控产品质量，而完成光衰之后的电池片，由于转换效率的下降，通常不能继续作为产品入库以进行后续工艺，针对该问题，现有的处理方式是退火，而退火工艺包含光退火和电退火这两种，其分别是采用光注入和电注入的方式来钝化缺陷，实现降低光致衰减的目的，然而，这两种手段只是改善光衰后电池片的光衰性能，而不能令其效率提升至原来的水平，电池片还是只能被当作低效片处理掉，可见光致衰减的检测操作造成了大量经济成本和人工成本的浪费。一个具体的例子就是：选取烧结后的P型掺硼单晶电池片50片，测量其AM1.5标准太阳辐照条件下IV输出特性，得到平均初始效率21.37％，然后使用光衰箱进行光衰处理(5kwh；70℃)，衰减后效率下降1.28％(绝对效率)，此时电池片效率为20.09％，属于低效片，无法与未光衰的正常生产的电池片一起进行组件封装。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，能够使光衰后的单晶电池的光电转换效率基本恢复到光衰之前的水平，减少资源浪费，降低生产成本和人工成本。

本发明提供的一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，包括：

将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；

利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；

迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。

优选的，在上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法中，将所述掺硼单晶电池与金属平台紧密接触，利用所述金属平台传导的热量将所述光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃。

优选的，在上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法中，所述预热过程持续3秒至5秒。

优选的，在上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法中，利用波长范围为800nm至1300nm的红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子。

优选的，在上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法中，利用水冷方式迅速降低所述掺硼单晶电池的温度。

优选的，在上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法中，所述水冷方式利用的是10℃至20℃的水。

优选的，在上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法中，所述利用红外激光照射所述掺硼单晶电池持续的时间范围为15秒至20秒。

通过上述描述可知，本发明提供的上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，由于包括将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程，因此能够使光衰后的单晶电池的光电转换效率基本恢复到光衰之前的水平，减少资源浪费，降低生产成本和人工成本。

附图说明