[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极；

在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层，包括在所述栅极绝缘层上从下到上依次沉积形成非晶硅层以及N型掺杂非晶硅结构；所述N型掺杂非晶硅结构包括至少三层的N型掺杂非晶硅层；所述至少三层的N型非晶硅层的掺杂浓度从下到上呈递增排布；

在所述半导体层上沉积形成金属层；以及

对所述金属层和所述半导体层进行刻蚀以得到源极和漏极；所述源极和漏极位于所述栅极绝缘层上且与所述半导体层的两侧相接触；

其中，所述对所述金属层和所述半导体层进行刻蚀以得到源极和漏极的步骤包括：

在所述金属层上形成图案化的光阻层；以及

以所述光阻层为掩膜采用两道湿法刻蚀和两道干法刻蚀工艺对所述金属层和所述半导体层进行刻蚀；其中，在第二道干法刻蚀中，控制射频源功率为2千瓦～5千瓦，射频偏置功率为7千瓦～3千瓦，刻蚀时间为35秒～50秒。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂非晶硅结构包括从下到上依次叠加的第一N型掺杂非晶硅层、中间N型掺杂非晶硅结构和第二N型掺杂非晶硅层；其中，所述中间N型掺杂非晶硅结构包括至少一层N型掺杂非晶硅层；所述第一N型掺杂非晶硅层为N型轻掺杂非晶硅层；所述第二N型掺杂非晶硅层为N型重掺杂非晶硅层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述中间N型掺杂非晶硅结构包括第三N型掺杂非晶硅层；所述第二N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度是所述第三N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度的1.5～3倍；所述第三N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度是所述第一N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度的1.5～3倍。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一N型掺杂非晶硅层为由比值为0.5～1.5的具有掺杂原子的气体和硅烷制备而成；所述第三N型掺杂非晶硅层为由比值为1.3～2的具有掺杂原子的气体与硅烷制备而成；所述第二N型掺杂非晶硅层为由比值为0.5～1.5的具有掺杂原子的气体与硅烷制备而成。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述中间N型掺杂非晶硅结构包括由下到上依次叠加的第四N型掺杂非晶硅层和第五N型掺杂非晶硅层；所述第四N型掺杂非晶硅层为N型轻掺杂非晶硅层；所述第五N型掺杂非晶硅层为N型重掺杂非晶硅层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度是所述第五N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度的1.5～3倍；所述第五N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度是所述第四N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度的2～6倍；所述第四N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度是所述第一N型掺杂非晶硅层的掺杂浓度的1.5～3倍。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一N型掺杂非晶硅层和所述第四N型掺杂非晶硅层均为由比值为0.5～1.5的具有掺杂原子的气体与硅烷制备而成；所述第二N型掺杂非晶硅层和所述第五N型掺杂非晶硅层均为由比值为1.8～4.5的具有掺杂原子的气体与硅烷制备而成。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在第二道干法刻蚀中，刻蚀气体包括氯气和六氟化硫，氯气和六氟化硫的比例为1:20～1:50。