[发明专利]近红外滤光片及其制备方法和滤光设备

权利要求书

1.一种近红外滤光片，其特征在于，包括玻璃基体和设于所述玻璃基体一侧表面的滤光层；所述滤光层包括依次交替设置的SiO₂膜层与SiH膜层，所述SiO₂膜层与所述玻璃基体接触；

所述SiO₂膜层与所述SiH膜层的层数之和为20-40层，所述滤光层的厚度为3000-4500nm。

2.根据权利要求1所述的近红外滤光片，其特征在于，所述SiO₂膜层与所述SiH膜层的层数之和为20-35层，优选为20-30层。

3.根据权利要求1所述的近红外滤光片，其特征在于，所述SiO₂膜层的各层厚度之和为2500-3500nm，所述SiH膜层的各层厚度之和为500-1000nm。

4.根据权利要求1所述的近红外滤光片，其特征在于，所述SiO₂膜层的每层层厚为10-400nm，所述SiH膜层的每层层厚为10-100nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的近红外滤光片，其特征在于，所述玻璃基体为蓝宝石玻璃。

6.一种权利要求1-5任一项所述的近红外滤光片的制备方法，其特征在于，在所述玻璃基体表面依次交替制备SiO₂膜层和SiH膜层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，利用溅射工艺在所述玻璃基体表面依次交替沉积SiO₂膜层和SiH膜层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，溅射工艺中，以Si为靶材，通过依次交替通入氧气和氢气作为反应气体，在所述玻璃基体表面依次交替沉积SiO₂膜层和SiH膜层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，沉积SiO₂膜层的溅射工艺参数包括：真空度6.0×10^-3-10×10^-3Pa，靶材功率6-12KW，惰性气体流速45-65sccm，ICP功率2-6KW，氧气流速260-300sccm；

优选地，沉积SiH膜层的溅射工艺参数包括：真空度6.0×10^-3-10×10^-3Pa，靶材功率6-12KW，惰性气体流速45-65sccm，ICP功率2-6KW，氢气流速380-420sccm。

10.一种滤光设备，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的近红外滤光片或利用权利要求6-9任一项所述的制备方法得到的近红外滤光片。