[发明专利]JFET型自激式交错并联Sepic变换器

权利要求书

1.一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Sepic变换器包括电感L1、电感L2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路j具有端口aj、端口bj、端口cj和端口dj，j的取值范围为1至2，直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连，电感L1的另一端同时与N型JFET管J1的漏极、驱动支路2的端口c2和电容C1的一端相连，电容C1的另一端同时与驱动支路2的端口d2、二极管D1的阳极和电感L3的一端相连，电感L3的另一端与二极管D3的阴极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、N型JFET管J1的源极、N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连，电感L2的另一端同时与N型JFET管J2的漏极、驱动支路1的端口c1和电容C2的一端相连，电容C2的另一端同时与驱动支路1的端口d1、二极管D2的阳极和电感L4的一端相连，电感L4的另一端与二极管D4的阴极相连，N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连。

2.如权利要求1所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路1中，当N型JFET管J2导通时，其端口a1和端口b1之间产生负电压关断N型JFET管J1；所述驱动支路2中，当N型JFET管J1导通时，其端口a2和端口b2之间产生负电压关断N型JFET管J2。

3.如权利要求1或2所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路j包括稳压管Zaj、电阻Raj和电容Caj，驱动支路j的端口aj同时与稳压管Zaj的阳极和电阻Raj的一端相连，电阻Raj的另一端与电容Caj的一端相连，电容Caj的另一端与驱动支路j的端口cj相连，稳压管Zaj的阴极与驱动支路j的端口bj相连，j的取值范围为1至2。

4.如权利要求3所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路j还包括电阻Rbj和二极管Dbj，电阻Rbj的一端与驱动支路j的端口aj相连，电阻Rbj的另一端与二极管Dbj的阴极相连，二极管Dbj的阳极与电容Caj的一端相连，j的取值范围为1至2。

5.如权利要求3所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路j还包括电阻Rcj和二极管Dcj，二极管Dcj的阳极与驱动支路j的端口aj相连，二极管Dcj的阴极与电阻Rcj的一端相连，电阻Rcj的另一端与电容Caj的一端相连，j的取值范围为1至2。

6.如权利要求1或2所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路j包括稳压管Zdj、电阻Rdj和电容Cdj，驱动支路j的端口aj同时与稳压管Zdj的阳极和电阻Rdj的一端相连，电阻Rdj的另一端与电容Cdj的一端相连，电容Cdj的另一端与驱动支路j的端口dj相连，稳压管Zdj的阴极与驱动支路j的端口bj相连，j的取值范围为1至2。

7.如权利要求6所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路j还包括电阻Rej和二极管Dej，电阻Rej的一端与驱动支路j的端口aj相连，电阻Rej的另一端与二极管Dej的阴极相连，二极管Dej的阳极与电容Cdj的一端相连，j的取值范围为1至2。

8.如权利要求6所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路j还包括电阻Rfj和二极管Dfj，二极管Dfj的阳极与驱动支路j的端口aj相连，二极管Dfj的阴极与电阻Rfj的一端相连，电阻Rfj的另一端与电容Cdj的一端相连，j的取值范围为1至2。