[发明专利]JFET型自激式交错并联Sepic变换器

说明书

一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，包括电感L1、电感L2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，所述驱动支路1中，当N型JFET管J2导通时，其端口a1和端口b1之间产生负电压关断N型JFET管J1；所述驱动支路2中，当N型JFET管J1导通时，其端口a2和端口b2之间产生负电压关断N型JFET管J2。本发明具有低输入电压启动、宽输入电压范围工作和高效率的特点。

技术领域

本发明涉及交错并联Sepic变换器，尤其是一种适用于低电压输入的交错并联Sepic变换器，可应用于LED驱动、能量收集、辅助电源等场合。

背景技术

和他激式Sepic变换器相比，自激式交错并联Sepic变换器具有输入/输出电流纹波小、易于启动、易于扩容、成本低等优点。增强型MOSFET和BJT是常见的半导体器件，都可用于构建自激式交错并联Sepic变换器。当应用于低电压输入的场合时，增强型MOSFET因其栅源极阈值电压较高而不适用。基极-发射极导通电压较低的BJT虽适用，但是它的驱动和导通损耗均较大。

发明内容

为了克服现有BJT在构建低电压输入的交错并联Sepic变换器时存在损耗较大的不足，本发明提供一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，目的在于同时实现低输入电压启动、宽输入电压范围工作和高效率。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，包括电感L1、电感L2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路j具有端口aj、端口bj、端口cj和端口dj，j的取值范围为1至2，直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连，电感L1的另一端同时与N型JFET管J1的漏极、驱动支路2的端口c2和电容C1的一端相连，电容C1的另一端同时与驱动支路2的端口d2、二极管D1的阳极和电感L3的一端相连，电感L3的另一端与二极管D3的阴极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、N型JFET管J1的源极、N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连，电感L2的另一端同时与N型JFET管J2的漏极、驱动支路1的端口c1和电容C2的一端相连，电容C2的另一端同时与驱动支路1的端口d1、二极管D2的阳极和电感L4的一端相连，电感L4的另一端与二极管D4的阴极相连，N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连。

进一步，所述驱动支路1中，当N型JFET管J2导通时，其端口a1和端口b1之间产生负电压关断N型JFET管J1；所述驱动支路2中，当N型JFET管J1导通时，其端口a2和端口b2之间产生负电压关断N型JFET管J2。

所述N型JFET管J1和N型JFET管J2都可采用耗尽型MOSFET管代替。

作为驱动支路j的一种优选方案，驱动支路j包括稳压管Zaj、电阻Raj和电容Caj，驱动支路j的端口aj同时与稳压管Zaj的阳极和电阻Raj的一端相连，电阻Raj的另一端与电容Caj的一端相连，电容Caj的另一端与驱动支路j的端口cj相连，稳压管Zaj的阴极与驱动支路j的端口bj相连，j的取值范围为1至2。

进一步，驱动支路j还包括电阻Rbj和二极管Dbj，电阻Rbj的一端与驱动支路j的端口aj相连，电阻Rbj的另一端与二极管Dbj的阴极相连，二极管Dbj的阳极与电容Caj的一端相连。