[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底；

第1绝缘层，形成在所述半导体衬底的上方；

金属层，形成在所述第1绝缘层上；

密接层，形成在所述金属层的第1区域上；

导电层，形成在所述金属层的与所述第1区域不同的第2区域上及所述密接层上；

第2绝缘层，形成在所述导电层上；

多个配线层，分别隔开地积层于所述第2绝缘层的上方；

半导体层，在与所述半导体衬底垂直的第1方向上延伸，且底面连接于所述导电层；

存储部，配置在所述多个配线层中的至少一个与所述半导体层之间；以及

狭缝，在所述第2区域的上方在所述第1方向上延伸，侧面与所述多个配线层相接且底面到达至所述导电层，在内部配置着绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第2区域的所述导电层的所述第1方向的膜厚厚于所述第1区域的所述导电层的所述第1方向的所述膜厚。

3.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底；

第1绝缘层，形成在所述半导体衬底的上方；

金属层，包含形成在所述第1绝缘层内的第1配线层、在所述第1绝缘层内形成在所述第1配线层上的接触插塞、以及形成在所述第1绝缘层上及所述接触插塞上的第2配线层；

导电层，形成在所述第2配线层上；

第2绝缘层，形成在所述导电层上；

多个第3配线层，分别隔开地积层于所述第2绝缘层的上方；

半导体层，在与所述半导体衬底垂直的第1方向上延伸，且底面连接于所述导电层；以及

存储部，配置在所述多个第3配线层中的至少一个与所述半导体层之间。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述接触插塞在与所述半导体衬底平行的第2方向上，在远离所述第1配线层的端部的位置与所述第1配线层连接。

5.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底；

第1绝缘层，形成在所述半导体衬底的上方；

金属层，包含形成在所述第1绝缘层内的突出部、以及形成在所述第1绝缘层上及所述突出部上的第1配线层；

导电层，形成在所述第1配线层上；

第2绝缘层，形成在所述导电层上；

多个第2配线层，分别隔开地积层于所述第2绝缘层的上方；

半导体层，在与所述半导体衬底垂直的第1方向上延伸，且底面连接于所述导电层；以及

存储部，配置在所述多个第2配线层中的至少一个与所述半导体层之间。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述突出部在与所述半导体衬底平行的第2方向上，与所述第1配线层相接的上表面的宽度小于所述第1方向上的中间的高度位置上的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述突出部具有在所述第1方向上延伸的圆柱形状。